5kW隔离式双向DC-DC转换器

该参考设计提供了采用1200V SiC MOSFET双有源桥（DAB）转换方法的5kW隔离双向DC-DC转换器的设计指南，数据和其他内容。

5kW隔离式双向DC-DC转换器的评估板图片
TW070J120B TW070J120B TW070J120B TW070J120B TK49N65W5 TK49N65W5 TK49N65W5 TK49N65W5 TLP7920 TLP5214A

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特点

  • 总效率：97%（Vin＝750V，100%负载的条件下）
  • 外形尺寸：565mm×360mm×270mm
  • SiC MOSFET，MOSFET，智能栅极驱动IC和隔离放大器的整体解决方案。

说明

高压侧 DC 732V至768V
低压侧 DC 396V至404V
额定功率 5.0kW
电路配置 双有源桥（DAB）转换方法
5kW隔离式双向DC-DC转换器的效率曲线
效率曲线

设计文档

设计文档包括下列文档。

设计数据

设计数据包括下列内容。

*1:实际PCB在CR5000BD上设计。其他文件由CR5000BD文件生成。

*2:数据在CR5000BD上生成。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET 高压侧开关・4 N沟道SiC MOSFET，1200V，0.07Ω（典型值）@20V，TO-3P(N)，第2代
功率MOSFET（N沟道500V＜VDSS≤700V） 低压侧开关・4 N沟道MOSFET，650V，0.057Ω@10V，TO-247，DTMOSⅣ
智能栅极驱动IC 栅极驱动・8 光耦（光电IC输出），IGBT驱动IC，IOP＝+/-4.0A，5000Vrms，SO16L
隔离放大器 电压检测・2 光耦（隔离放大器），模拟输出，5000Vrms，DIP8

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