该参考设计提供了采用1200V SiC MOSFET双有源桥(DAB)转换方法的5kW隔离双向DC-DC转换器的设计指南,数据和其他内容。
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高压侧 | DC 732V至768V |
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低压侧 | DC 396V至404V |
额定功率 | 5.0kW |
电路配置 | 双有源桥(DAB)转换方法 |
设计文档包括下列文档。
设计数据包括下列内容。
器件型号 | 器件目录 | 搭载部位・数量 | 说明 |
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功率SiC MOSFET | 高压侧开关・4 | N沟道SiC MOSFET,1200V,0.07Ω(典型值)@20V,TO-3P(N),第2代 | |
功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V) | 低压侧开关・4 | N沟道MOSFET,650V,0.057Ω@10V,TO-247,DTMOSⅣ | |
智能栅极驱动IC | 栅极驱动・8 | 光耦(光电IC输出),IGBT驱动IC,IOP=+/-4.0A,5000Vrms,SO16L | |
隔离放大器 | 电压检测・2 | 光耦(隔离放大器),模拟输出,5000Vrms,DIP8 |