该参考设计提供了使用半无桥/隔离相移全桥的1.6kW 80+白金级电源的设计指南,数据和其他内容。
输入电压 | AC 90V至264V |
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输出电压 | DC 12V |
输出功率 | 0.8kW(AC 100V系统输入), 1.6kW(AC 200V系统输入) |
电路拓扑 | 无桥PFC、相移全桥+同步整流、输出的Oring电路 |
下载解决方案概览材料 (PDF:481KB)
设计文档包括下列文档。
设计数据包括下列内容。
器件型号 | 器件目录 | 搭载部位・数量 | 说明 |
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功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V) | PFC・4 | N沟道MOSFET,600V,0.125Ω@10V,TO-247,DTMOSⅣ-H | |
SiC肖特基二极管 | PFC・2 | 650V/8A SiC肖特基势垒二极管,TO-220-2L | |
功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V) | 原边・4 | N沟道MOSFET,600V,0.14Ω@10V,TO-247,DTMOSⅣ-H | |
功率MOSFET(单N沟道60V<VDSS≤150V) | 副边・8 | N沟道MOSFET,100V,0.0037Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅨ-H | |
功率MOSFET(单N沟道VDSS≤30V) | Oring・10 | N沟道MOSFET,30V,0.0009Ω@10V,SOP Advance,U-MOSⅧ | |
光耦 | 原边和副边之间的通信・4 | 光耦(光电IC输出),高速,50Mbps,5000Vrms,SO6L |