半导体继电器系统
半导体继电器系统接线盒电路示例
产品线
U-MOS系列40V N沟道MOSFET
器件型号 |
|
导通电阻（最大值） |
封装 |
|---|---|---|---|
40 |
3.8 |
||
120 |
1.35 |
||
150 |
0.79 |
||
150 |
0.79 |
||
XPJR6604PB * |
(200) |
(0.66) |
S-TOGL™ |
400 |
0.30 |
L-TOGL™ |
*：开发中（括号内的数值为暂定规格。规格如有更改，恕不另行通知。）
栅极驱动IC（用于开关）
通用小信号MOSFET
| 器件型号 | SSM3K7002KF | SSM3J168F | SSM3J66MFV | |
|---|---|---|---|---|
| 封装 | ||||
| VDSS[V] | 60 | -60 | -20 | |
| ID[A] | 0.4 | -0.4 | -0.8 | |
| RDS(ON)@|VGS|＝4.5V[Ω] | 典型值 | 1.2 | 1.4 | 0.31 |
| 最大值 | 1.75 | 1.9 | 0.39 | |
| 驱动电压[V] | 4.5 | -4.0 | -1.2 | |
| 极性 | N沟道 | P沟道 | P沟道 | |
通用小信号双极晶体管
*表示UFM封装
小信号偏置电阻内置晶体管（BRT）
| 器件型号 | NPN（BRT） | PNP（BRT） | |
|---|---|---|---|
| 封装 | ES6 (SOT-563) | RN1907FE | RN2907FE |
| US6 (SOT-363) | RN1901 | RN2901 | |
| VCEO[V] | 50 | -50 | |
| IC[mA] | 100 | -100 | |
TVS二极管（用于CAN通信）
| 器件型号 | DF3D18FU | DF3D29FU | DF3D36FU |
|---|---|---|---|
| 封装 | USM (SOT-323) | ||
| VESD[kV]@ISO 10605 | ±30 | ±30 | ±20 |
| VRWM（最大值）[V] | 12 | 24 | 28 |
| Ct（典型值／最大值）[pF] | 9／10 | 6.5／8 | |
| RDYN（典型值）[Ω] | 0.8 | 1.1 | 1.5 |
* S-TOGL™ and L-TOGL™ are trademarks of Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.
* All other company names, product names, and service names may be trademarks of their respective companies.
在新窗口打开