电源开／关控制及反接保护电路（N沟道型）

12V电源线N沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

电源开／关控制及反接保护电路（N沟道型）

产品线

U-MOS系列40V N沟道MOSFET

器件型号 额定漏极电流[A]

导通电阻（最大值）
[mΩ]@VGS＝10V

 封装
XPN3R804NC 40 3.8 TSON Advance(WF)
TK1R4S04PB 120 1.35 DPAK+
XPHR7904PS 150 0.79 SOP Advance(WF)
TPWR7904PB 150 0.79 DSOP Advance(WF)L
XPJR6604PB* (200)  (0.66)  S-TOGL™
XPQR3004PB 400 0.30 L-TOGL™

*：开发中（括号内的数值为暂定规格。规格如有更改，恕不另行通知。）

车载MOSFET

栅极驱动IC（用于开关）

器件型号 TPD7104AF TPD7106F TPD7107F
封装 PS-8 （2.8mm×2.9mm） SSOP16 （5.5mm×6.4mm） WSON10A （3mm×3mm）
功能 高边栅极驱动IC 高边栅极驱动IC 高边栅极驱动IC
输出 1 1 1

特性
  • 工作电源电压范围：5V至18V
  •  内置电源反接保护功能
    （带背靠背电路的保护性MOSFET控制）
  • 工作电源电压范围：4.5V至27V
  • 内置电源反接保护功能（带背靠背电路的保护性MOSFET控制）
  • 工作电源电压范围：5.75V至26V
  • 电流检测输出
  • 保护功能
    过流、过温、GND断开等.
    电池反接
  • 诊断输出
    过流、负载开路、过热等

车载驱动IC

通用小信号MOSFET

器件型号 SSM3K7002KF SSM3J168F SSM3J66MFV
封装 S-Mini (SOT-346) S-Mini (SOT-346) VESM (SOT-723)
VDSS[V]  60 -60 -20
ID(A)  0.4 -0.4 -0.8

RDS(ON)@|VGS|＝4.5V[Ω]

 典型值 1.2 1.4 0.31
最大值 1.75 1.9 0.39
驱动电压[V] 4.5 -4.0 -1.2
极性 N沟道 P沟道 P沟道

车载MOSFET

通用小信号双极晶体管

封装 SOT-23F

USM（SOT-323）

UFM（SOT-323F）*

 S-Mini（SOT-346）
分类 |VCEO| [V] |IC| [mA] NPN PNP NPN PNP NPN PNP
通用型 50 150     2SC4116 2SA1586 2SC2712 2SA1162
50 500         2SC3325 2SA1313
低噪声 120 100     2SC4117 2SA1587 2SC2713 2SA1163
大电流 50 1700       2SA2195*    
50 2000   TTA501        
50 2500 TTC501          

*：表示UFM封装

车载双极晶体管

小信号偏置电阻内置晶体管（BRT）

器件型号

NPN（BRT）

PNP（BRT）

封装

ES6 (SOT-563)

RN1907FE

RN2907FE

US6 (SOT-363)

RN1901

RN2901

VCEO[V]

50

-50

IC[mA]

100

-100

车载偏置电阻内置晶体管（BRT）

TVS二极管（用于CAN通信）

器件型号 DF3D18FU DF3D29FU DF3D36FU
封装

USM (SOT-323)
VESD[kV]@ISO 10605 ±30 ±30 ±20
VRWM（最大值）[V] 12 24 28

Ct（典型值／最大值）[pF]

 9 / 10 6.5 / 8
RDYN（典型值）[Ω] 0.8 1.1 1.5

车载TVS二极管

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