电源开/关控制及反接保护电路(N沟道型)

12V电源线N沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

电源开/关控制及反接保护电路(N沟道型)

产品线

U-MOS系列40V N沟道MOSFET

器件型号 额定漏极电流[A]

导通电阻(最大值)
[mΩ]@VGS=10V

封装
XPN3R804NC 40 3.8 TSON Advance(WF)
TK1R4S04PB 120 1.35 DPAK+
XPHR7904PS 150 0.79 SOP Advance(WF)
TPWR7904PB 150 0.79 DSOP Advance(WF)L
XPJR6604PB* (200)  (0.66)  S-TOGL™
XPQR3004PB 400 0.30 L-TOGL™

*:开发中(括号内的数值为暂定规格。规格如有更改,恕不另行通知。)

栅极驱动IC(用于开关)

器件型号 TPD7104AF TPD7106F TPD7107F
封装 PS-8 (2.8mm×2.9mm) SSOP16 (5.5mm×6.4mm) WSON10A (3mm×3mm)
功能 高边栅极驱动IC 高边栅极驱动IC 高边栅极驱动IC
输出 1 1 1

特性

  • 工作电源电压范围:5V至18V
  •  内置电源反接保护功能
    (带背靠背电路的保护性MOSFET控制)
  • 工作电源电压范围:4.5V至27V
  • 内置电源反接保护功能(带背靠背电路的保护性MOSFET控制)
  • 工作电源电压范围:5.75V至26V
  • 电流检测输出
  • 保护功能
    过流、过温、GND断开等.
    电池反接
  • 诊断输出
    过流、负载开路、过热等

通用小信号MOSFET

器件型号 SSM3K7002KF SSM3J168F SSM3J66MFV
封装 S-Mini (SOT-346) S-Mini (SOT-346) VESM (SOT-723)
VDSS[V]  60 -60 -20
ID(A)  0.4 -0.4 -0.8

RDS(ON)@|VGS|=4.5V[Ω]

典型值 1.2 1.4 0.31
最大值 1.75 1.9 0.39
驱动电压[V] 4.5 -4.0 -1.2
极性 N沟道 P沟道 P沟道

通用小信号双极晶体管

封装 SOT-23F

USM(SOT-323)

UFM(SOT-323F)*

S-Mini(SOT-346)
分类 |VCEO| [V] |IC| [mA] NPN PNP NPN PNP NPN PNP
通用型 50 150     2SC4116 2SA1586 2SC2712 2SA1162
50 500         2SC3325 2SA1313
低噪声 120 100     2SC4117 2SA1587 2SC2713 2SA1163
大电流 50 1700       2SA2195*    
50 2000   TTA501        
50 2500 TTC501          

*:表示UFM封装

小信号偏置电阻内置晶体管(BRT)

器件型号

NPN(BRT)

PNP(BRT)

封装

ES6 (SOT-563)

RN1907FE

RN2907FE

US6 (SOT-363)

RN1901

RN2901

VCEO[V]

50

-50

IC[mA]

100

-100

TVS二极管(用于CAN通信)

器件型号 DF3D18FU DF3D29FU DF3D36FU
封装

USM (SOT-323)

VESD[kV]@ISO 10605 ±30 ±30 ±20
VRWM(最大值)[V] 12 24 28

Ct(典型值/最大值)[pF]

9 / 10 6.5 / 8
RDYN(典型值)[Ω] 0.8 1.1 1.5

联系我们

技术咨询

联系我们

联系我们

常见问题

常见问题(FAQ)

*S-TOGL™和L-TOGL™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
*本文提及的公司名称,产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

在新窗口打开