电源开/关控制及反接保护电路(48V N沟道型)

48V电源线N沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

电源开/关控制及反接保护电路(48V N沟道型)

产品线

U-MOS系列100V N沟道MOSFET

器件型号

额定漏极电流[A]

导通电阻(最大值)
[mΩ]@VGS=10V

封装

XPN1300ANC

30

13.3

TSON Advance(WF)

XPN2400ANC *

20

23.5

TK60S10N1L

60

6.11

DPAK+

XPH4R10ANB

70

4.1

SOP Advance(WF)

XPH6R30ANB

45

6.3

XPW4R10ANB

70

4.1

DSOP Advance(WF)L

XPW6R30ANB

45

6.3

DSOP Advance(WF)M

XPQ1R00AQB *

300

1.03

L-TOGL™

* :开发中(规格如有更改,恕不另行通知。)

通用小信号MOSFET

器件型号 SSM3K7002KF SSM3J168F SSM3J66MFV
封装 S-Mini (SOT-346) S-Mini (SOT-346) VESM (SOT-723)
VDSS[V]  60 -60 -20
ID(A)  0.4 -0.4 -0.8

RDS(ON)@|VGS|=4.5V[Ω]

典型值 1.2 1.4 0.31
最大值 1.75 1.9 0.39
驱动电压[V] 4.5 -4.0 -1.2
极性 N沟道 P沟道 P沟道

通用小信号双极晶体管

封装 SOT-23F

USM(SOT-323)

UFM(SOT-323F)*

S-Mini(SOT-346)
分类 |VCEO| [V] |IC| [mA] NPN PNP NPN PNP NPN PNP
通用型 50 150     2SC4116 2SA1586 2SC2712 2SA1162
50 500         2SC3325 2SA1313
低噪声 120 100     2SC4117 2SA1587 2SC2713 2SA1163
大电流 50 1700       2SA2195*    
50 2000   TTA501        
50 2500 TTC501          

*表示UFM封装

小信号偏置电阻内置晶体管(BRT)

器件型号 NPN(BRT) PNP(BRT)
封装 ES6 (SOT-563) RN1907FE RN2907FE
US6 (SOT-363) RN1901 RN2901
VCEO[V] 50 -50
IC[mA] 100 -100

TVS二极管(用于CAN通信)

器件型号 DF3D18FU DF3D29FU DF3D36FU
封装 USM (SOT-323)
VESD[kV]@ISO 10605 ±30 ±30 ±20
VRWM(最大值)[V] 12 24 28
Ct(典型值/最大值)[pF] 9/10 6.5/8
RDYN(典型值)[Ω] 0.8 1.1 1.5

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