TPN11006PL

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)

  • 相关参考设计(1)

产品概要

Application Scope High-Efficiency DC-DC Converters / Switching Voltage Regulators / Motor Drivers
Polarity N-ch
Generation U-MOSⅨ-H
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name TSON Advance
Package Image TSON Advance
Pins 8
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
3.3×3.3×0.85
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 60 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
Drain current ID 54 A
Power Dissipation PD 61 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 2.5 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 1.5 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 18.1
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 11.4
Input capacitance (Typ.) Ciss - 1250 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 17 nC
Output charge (Typ.) Qoss - 14.4 nC
Reverse recovery time (Typ.) trr - 28 ns
Reverse recovery charge (Typ.) Qrr - 18 nC
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(Note)

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可订购器件型号

Orderable part number
(example)
MOQ(pcs) Reliability
Information
RoHS
TPN11006PL,LQ 3000 Yes

参考设计

全桥型DC-DC电源基础仿真电路的电路图
全桥型DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南,用于设计DC-DC电源的全桥拓扑。

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