12V电源线N沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例
器件型号 |
|
导通电阻(最大值)[mΩ] @VGS=10V |
封装 |
---|---|---|---|
40 |
3.8 |
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120 |
1.35 |
||
150 |
0.79 |
||
150 |
0.79 |
||
XPJR6604PB * |
(200) |
(0.66) |
S-TOGL™ |
400 |
0.30 |
L-TOGL™ |
*:开发中(括号内的数值为暂定规格。规格如有更改,恕不另行通知。)
器件型号 |
||||
---|---|---|---|---|
封装 |
||||
VDSS[V] |
60 |
-60 |
-20 |
|
ID[A] |
0.4 |
-0.4 |
-0.8 |
|
RDS(ON) @|VGS|=4.5V[Ω] |
典型值 |
1.2 |
1.4 |
0.31 |
最大值 |
1.75 |
1.9 |
0.39 |
|
驱动电压[V] |
4.5 |
-4.0 |
-1.2 |
|
极性 |
N沟道 |
P沟道 |
P沟道 |
*表示UFM封装
器件型号 | NPN(BRT) | PNP(BRT) | |
---|---|---|---|
封装 | ES6 (SOT-563) | RN1907FE | RN2907FE |
US6 (SOT-363) | RN1901 | RN2901 | |
VCEO[V] | 50 | -50 | |
IC[mA] | 100 | -100 |
器件型号 |
|||
---|---|---|---|
封装 |
|||
VESD[kV]@ISO 10605 |
±30 |
±30 |
±20 |
VRWM(最大值)[V] |
12 |
24 |
28 |
Ct(典型值/最大值)[pF] |
9/10 |
6.5/8 |
|
RDYN(典型值)[Ω] |
0.8 |
1.1 |
1.5 |
*S-TOGL™和L-TOGL™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
*本文提及的公司名称,产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。