电源开/关控制及反接保护电路(N沟道型)

12V电源线N沟道MOSFET开关控制和反接保护电路示例

电源开/关控制及反接保护电路(N沟道型)

产品线

U-MOS系列40V N沟道MOSFET

器件型号


额定漏极电流[A]

导通电阻(最大值)[mΩ]

@VGS=10V

封装

XPN3R804NC

40

3.8

TSON Advance(WF)

TK1R4S04PB

120

1.35

DPAK+

XPHR7904PS

150

0.79

SOP Advance(WF)

TPWR7904PB

150

0.79

DSOP Advance(WF)L

XPJR6604PB *

(200)

(0.66)

S-TOGL™

XPQR3004PB

400

0.30

L-TOGL™

*:开发中(括号内的数值为暂定规格。规格如有更改,恕不另行通知。)

栅极驱动IC(用于开关)

器件型号

TPD7104AF

TPD7106F

TPD7107F
封装 PS-8 (2.8mm×2.9mm) SSOP16 (5.5mm×6.4mm) WSON10A (3mm×3mm)
功能 高边栅极驱动IC 高边栅极驱动IC 高边栅极驱动IC
输出 1 1 1

特性

  • 工作电源电压范围:5V至18V
  •  内置电源反接保护功能(带背靠背电路的保护性MOSFET控制)
  • 工作电源电压范围:4.5V至27V
  • 内置电源反接保护功能(带背靠背电路的保护性MOSFET控制)
  • 工作电源电压范围:5.75V至26V
  • 电流检测输出
  • 保护功能
    过流、过温、GND断开等.
    电池反接
  • 诊断输出
    过流、负载开路、过热等  

通用小信号MOSFET

器件型号

SSM3K7002KF

SSM3J168F

SSM3J66MFV

封装

S-Mini (SOT-346)

S-Mini (SOT-346)

VESM (SOT-723)

VDSS[V]

60

-60

-20

ID[A]

0.4

-0.4

-0.8

RDS(ON)

@|VGS|=4.5V[Ω]

典型值

1.2

1.4

0.31

最大值

1.75

1.9

0.39

驱动电压[V]

4.5

-4.0

-1.2

极性

N沟道

P沟道

P沟道

通用小信号双极晶体管

封装

SOT-23F

USM (SOT-323)

UFM (SOT-323F)*

S-Mini (SOT-346)

分类

|VCEO| [V]

|IC| [mA]

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

通用型 50 150

 

 

2SC4116

2SA1586

2SC2712

2SA1162

50 500        

2SC3325

2SA1313

低噪声 120 100    

2SC4117

2SA1587

2SC2713

2SA1163

大电流 50 1700      

2SA2195*

   
50 2000   TTA501        
50 2500 TTC501          

*表示UFM封装

小信号偏置电阻内置晶体管(BRT)

器件型号 NPN(BRT) PNP(BRT)
封装 ES6 (SOT-563) RN1907FE RN2907FE
US6 (SOT-363) RN1901 RN2901
VCEO[V] 50 -50
IC[mA] 100 -100

TVS二极管(用于CAN通信)

器件型号

DF3D18FU

DF3D29FU

DF3D36FU

封装

USM (SOT-323)

VESD[kV]@ISO 10605

±30

±30

±20

VRWM(最大值)[V]

12

24

28

Ct(典型值/最大值)[pF]

9/10

6.5/8

RDYN(典型值)[Ω]

0.8

1.1

1.5

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