SSM3K329R

停产产品

Small Low ON resistance MOSFETs

产品概要

Application Scope High-Speed Switching / Power Management Switches
Polarity N-ch
Generation U-MOSⅢ
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name SOT-23F
Package Image SOT-23F
Pins 3
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
2.9×2.4×0.8
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Land pattern dimensions 查看
CAD data
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-12 V
Drain current ID 3.5 A
Power Dissipation PD 1.0 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 1.0 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 0.4 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 289
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 170
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4V 126
Input capacitance (Typ.) Ciss - 123 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=4V 1.5 nC

文档

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Mar,2015

Feb,2019

(Note)

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应用

电子血压计
低功耗和小型化对于电子血压计的设计非常重要的。东芝提供了适用于电源装置、浪涌电压保护装置、电机驱动装置、传感器信号输入装置等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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