SiC肖特基势垒二极管

SiC肖特基势垒二极管(SBD)具有高反向电压额定值。除了提供具有较短反向恢复时间(trr)的SBD外,东芝还提供650V SBD,它具有结型肖特基势垒(JBS)结构,可提供开关电源所需的低泄漏电流(Ir)和高浪涌电流能力。这些器件有助于提高开关电源的效率。

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第3代肖特基势垒二极管( SBD)
采用新型肖特基金属,搭载了第3代SiC SBD芯片,优化了第二代结势垒肖特基(JBS)结构。因此,实现了业界领先的1.2V(典型值)低正向电压,比第2代的 1.45V(典型值)低 17%。第3代产品与第2代产品相比,改进了正向电压和总电容电荷,以及正向电压和反向电流之间的平衡,降低了功耗的同时有助于提高设备效率。
第3代SiC肖特基势垒二极管(SBD)
低开关损耗SiC肖特基势垒二极管(SBD)
通过使用SiC,实现了具有高耐压和低开关损耗(低反向恢复电荷)的器件。
二极管 / SiC肖特基势垒二极管
有助于高输出电源的高效率和低损耗
与FRD相比,恢复损耗大大降低:快速恢复二极管
二极管 / SiC肖特基势垒二极管
改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力
采用改进的JBS结构,降低了SBD的泄漏电流和提高了浪涌电流能力
二极管/SiC肖特基二极管
适用于电源电路的SiC器件
SiC肖特基二极管(SBD)实现了使用Si肖特基二极管无法实现的高的SBD击穿电压,并且显著降低了使用p-n结二极管无法实现的反向恢复时间(电荷),比如Si-FRD(快速恢复二极管)。
二极管/SiC肖特基二极管
SiC SBD的高耐压(反向电压)特性
实现了一种高击穿电压器件,其介电击穿场强比硅SBD高近10倍。
二极管/SiC肖特基二极管

文档

应用

变频器/伺服
微波炉
温控器
IoT传感器
不间断电源
服务器

参考设计

PCB照片(示例)
1.6 kW服务器电源(升级版)
得益于东芝最新的功率器件和数字隔离器,这款1U尺寸、12 V输出的1.6 kW服务器电源在整个负载下实现了比使用相同电路拓扑的现有参考设计更高的效率。提供了电路设计和操作的设计文件和指南,可用作参考设计。
1.6kW T型三电平PFC电源
1.6kW T型三电平PFC电源
本参考设计提供使用T型三电平功率因数校正(PFC) 电路的1.6kW AC-DC转换器电源的设计指南、数据等内容。
单相PFC电源基础仿真电路的电路图
单相PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
单相PFC电源基本仿真电路
交错式PFC电源基础仿真电路的电路图
交错式PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
交错式PFC电源基础仿真电路
无桥PFC电源基础仿真电路的电路图
无桥PFC电源基础仿真电路
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无桥PFC电源基础仿真电路
1.6kW,80+白金级高效服务器AC-DC电源的特点
1.6kW,80+白金级高效服务器AC-DC电源
该参考设计提供了使用半无桥/隔离相移全桥的1.6kW 80+白金级电源的设计指南,数据和其他内容。
半导体 / 电源 / 电源管理 / 拓扑 / 反激 / AC-DC / MOSFET / 二极管 / 东芝

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