新闻中心

此页面列举了东芝电子元件及存储装置株式会社的新闻。
新闻中的信息(包括产品价格和规格,服务内容和联系信息)是新闻发布时的最新信息,如有更改,恕不另行通知。2017年3月31日以前的新闻是东芝存储与电子元器件解决方案发布的新闻。

发布年份
产品种类
新闻类型
28-02-2022
新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线扩展,助力电源效率的提高
04-02-2022
东芝将投建新300mm晶圆功率半导体制造工厂以扩大功率半导体产能
31-01-2022
东芝率先[1]在氮化镓(GaN)器件上应用电流传感技术,实现了功率损耗更低、电流传感精度更高、电源系统体积更小的GaN器件
11-01-2022
有助于降低车载设备功耗的SOP Advance(WF)封装的功率MOSFET产品线扩展
30-09-2021
以低导通电阻降低功耗的车载小型MOSFET产品线拓展
21-09-2021
东芝基于模型开发的新型仿真技术将车载半导体的验证时间缩短了约90%
29-07-2021
有助于减小汽车设备尺寸的100V N沟道功率MOSFET的产品线扩展:XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC
27-04-2021
有助于延长电池驱动设备的工作时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET产品线扩展:SSM10N954L
31-03-2021
采用有助于提高电源效率的新工艺,80V N沟道功率MOSFET的产品线扩展:TK2R4E08QM,TK3R3E08QM,TK5R3E08QM,TK7R0E08QM,TK2R4A08QM,TK3R2A08QM,TK5R1A08QM,TK6R8A08QM,TK5R1P08QM,TK6R9P08QM
11-03-2021
东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率
10-03-2021
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布对功率器件业务进行重大投资
25-02-2021
东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化
01-02-2021
有助于降低电源的EMI的低尖峰型40V N沟道功率MOSFET:TPHR7404PU
19-10-2020
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
30-09-2020
东芝推出了一款共源共栅的GaN分立功率器件,可通过直接栅极驱动实现稳定运行并简化系统设计
30-09-2020
东芝推出可延长电池使用时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET
30-07-2020
可提高碳化硅(SiC)MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世
22-07-2020
采用有助于提高电源效率的新工艺80V N沟道功率MOSFET的产品线扩展:TPH2R408QM,TPH4R008QM,TPN8R408QM,TPN12008QM
13-05-2020
有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V/60V N沟道功率MOSFET:XPN3R804NC,XPN7R104NC,XPN6R706NC,XPN12006NC
31-03-2020
新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的阵容扩展,有助于提高电源效率:TK110N65Z,TK110Z65Z,TK110A65Z,TK125V65Z,TK155A65Z,TK170V65Z,TK190A65Z,TK210V65Z
在新窗口打开