东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET
2025年8月28日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C” 和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。
三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。
此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文链接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
| 类型 | 封装 |
|---|---|
| 通孔类 | TO-247 |
| TO-247-4L(X) | |
| 表面贴装类 | DFN8×8 |
| TOLL |
测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V／0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较）
图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较
注：
[1]截至2025年8月。
[2]电阻、电感等。
[3]一种信号源终端靠近FET芯片连接的产品。
[4]截至2025年8月，东芝测量的值。请参考图1。
[5]采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的第3代650V SiC MOSFET
应用
- 服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
特性
- 表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗。
- 东芝第3代SiC MOSFET：
- 通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性。
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25°C）
| 器件型号 | TW027U65C | TW048U65C | TW083U65C | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 封装 | 名称 | TOLL | ||||
| 尺寸（mm） | 典型值 | 9.9×11.68×2.3 | ||||
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 650 | ||||
| 栅极-源极电压VGSS （V） | -10至25 | |||||
| 漏极电流（DC）ID（A） | Tc＝25°C | 57 | 39 | 28 | ||
| 电气特性 | 漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ） | VGS＝18V | 典型值 | 27 | 48 | 83 |
| 栅极阈值电压Vth（V） | VDS＝10V | 3.0至5.0 | ||||
| 总栅极电荷Qg（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 65 | 41 | 28 | |
| 栅极-漏极电荷Qgd（nC） | VGS＝18V | 典型值 | 10 | 6.2 | 3.9 | |
| 输入电容Ciss（pF） | VDS＝400V | 典型值 | 2288 | 1362 | 873 | |
| 二极管正向电压VDSF（V） | VGS＝-5V | 典型值 | -1.35 | |||
| 库存查询与购买 |  |
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