Toshiba推出用於工業裝置的第三代SiC MOSFET,採用四引腳封裝,可降低開關損耗

2023年8月31日

東芝電子元件及儲存裝置株式會社

Toshiba Releases 3rd Generation SiC MOSFETs for Industrial Equipment with Four-Pin Package that Reduces Switching Loss

川崎—東芝電子元件及儲存裝置株式會社(“Toshiba”)推出多款用於工業裝置的碳化矽(SiC) MOSFET,稱為“TWxxxZxxxC”系列,採用可降低開關損耗的四引腳TO-247-4L(X)封裝和公司最新的[1] 第三代SiC MOSFET晶片。即日起開始批量出貨10款產品,其中5款產品的額定電壓為650V,另外5款為1200V。

這些新產品是Toshiba首次採用四引腳TO-247-4L(X)封裝的SiC MOSFET系列,支援在閘極驅動信號源端進行凱爾文連接。該封裝可降低封裝內部源線電感的影響,提升高速開關的效能。與Toshiba現有三引腳TO-247封裝產品TW045N120C相比,新TW045Z120C系列的導通損耗降低約40%,關斷損耗降低約34%[2],從而有助於降低裝置功率損耗。

使用SiC MOSFET的三相逆變器的參考設計已於線上發表。

未來Toshiba將繼續擴大產品陣容,以順應市場趨勢,並為提高裝置效率和擴大功率容量做出貢獻。

注:
[1] 截至2023年8月。
[2] 截至2023年8月,Toshiba測量值(測試條件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C)

使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

Three-phase inverter using SiC MOSFETs
Simple Block Diagram
Simple Block Diagram

應用

  • 開關電源(伺服器、資料中心、通訊裝置等)
  • 電動汽車充電站
  • 光電逆變器
  • 不斷電供應系統(UPS)

特性

  • 四引腳TO-247-4L(X)封裝:
    透過閘極驅動信號源端的凱爾文連接來降低開關損耗
  • 第三代SiC MOSFET
  • 低漏源導通電阻 x 柵漏電荷
  • 低二極體正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)

主要規格

(除非另有說明,否則Ta=25°C)

                         
部件型號 封裝 絕對最大額定值 電氣特性

樣品檢查

供貨情況

漏源

電壓 VDSS (V)

柵源

電壓 VGSS (V)

漏極

電流 (DC)
ID (A)

 漏源

導通

電阻 RDS(ON) (mΩ)

閘極

閾值

電壓 Vth (V)

閘極

電荷 Qg (nC)

柵漏

電荷 Qgd (nC)


輸入

電容Ciss (pF)

二極體

正向

電壓 VDSF (V)

Tc=25°C VGS=18V VDS=10V VGS=18V VGS=18V 典型值 Test condition VDS (V) VGS=-5V
典型值 典型值 典型值 典型值
TW015Z120C TO-247
-4L(X)
1200 -10至 25 100 15 3.0至 5.0 158 23 6000 800 -1.35 Buy Online
TW030Z120C 60 30 82 13 2925 Buy Online
TW045Z120C 40 45 57 8.9 1969 Buy Online
TW060Z120C 36 60 46 7.8 1530 Buy Online
TW140Z120C 20 140 24 4.2 691 Buy Online
TW015Z65C 650 100 15 128 19 4850 400 Buy Online
TW027Z65C 58 27 65 10 2288 Buy Online
TW048Z65C 40 48 41 6.2 1362 Buy Online
TW083Z65C 30 83 28 3.9 873 Buy Online
TW107Z65C 20 107 21 2.3 600 Buy Online

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