2025年12月24日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出一款双通道比较器(CMOS)——"TC75W71FU"。该产品具有高速响应和I/O全范围(轨到轨)的特点,适用于工业设备[1]中的过流检测。新产品于今日起开始出货。
工业设备在电机驱动和电源电路中通常使用大电流,随之而来的突发过流的风险可能引发损坏设备,导致生产线停工、甚至有安全隐患;因此,快速检测和保护至关重要。与此同时,在不断追求更高效率和产品小型化的过程中,电路可支持的电流和电压范围变窄,即使轻微的过流也会给电路带来沉重负担。这也进一步推动了对更快、更精确过流检测技术的需求。
新产品的传输延迟比现有的TC75W56FU更小,低电平转高电平最大为45ns,高电平转低电平最大为30ns[2]。这使得设备在过流时能够立即关断,从而提高运行安全性。
TC75W71FU的I/O电压支持从最小(GND)到最大(Vcc)的全范围供电输入输出电压,简化了设计。其最低工作电源电压为1.8V,支持低压运行。由于新比较器还具有推挽输出[3],信号上升和下降时间短,无需外部上拉电阻,并且可以保持稳定的电压电平。
除了TC75W71FU之外,本次还推出增加迟滞性以强化抗噪能力的TC75W72FU,以及具有迟滞性和开漏输出[5](能够向与比较器电源不同的电压域发送信号)的TC75W73FU[4],并计划于2026年2月开始量产。
未来,东芝将继续开发有助于提高工业设备安全性和可靠性的比较器,并扩充产品阵容以满足客户的广泛需求。
注:
[1]工业机器人、发电机、不间断电源(UPS)、变压器等。
[2]东芝现有产品TC75W56FU的传输延迟时间:在VDD=3V测量条件下,低电平到高电平的典型值为550ns,高电平到低电平的典型值为250ns。
[3] 推挽输出:输出电路包含两个晶体管(一个位于电路顶部,一个位于电路底部)的配置,分别驱动高电平和低电平。
[4]在VDD=3.3V测量条件下,传输延迟时间仅为30ns(高电平转低电平)。
[5]开漏输出:输出电路仅包含下方晶体管的配置,主动驱动低电平。
| 器件型号 | TC75W71FU | TC75W72FU[6] | TC75W73FU[6] | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 封装名称 (封装代码) |
SOT-505 (SM8) |
||||
| 工作额定值 | 供电电压VDD (V) T opr=-40°C至125°C |
1.8至5.5 | |||
| DC特性 | 供电电流IDD(μA) VDD=1.8V,VOUT=High,VIN=VSS,Ta=25°C |
典型值 | 276 | ||
| 输入偏置电压VIO(mV) VDD=1.8V,VSS<VIN<VDD, Ta=25°C |
最大值 | 17 | |||
| 输入迟滞电压VHYST(mV) VIN=VSS,VDD=1.8V,Ta=25°C |
典型值 | - | 3.5 | ||
| 低转高,100mV过驱动tPLH(ns) VDD=3.3V,Ta=25°C |
典型值 | 23 | - | ||
| 最大值 | 45 | - | |||
| 高转低,100mV过驱动tPHL(ns) VDD=3.3V,Ta=25°C |
典型值 | 14 | 11 | ||
| 最大值 | 30 | 30 | |||
| 输出类型 | 推挽 | 开漏 | |||
| I/O全范围 | 轨到轨I/O | ||||
| 库存查询与购买 | ![]() |
- | - | ||
注:
[6]产品计划于2026年2月开始量产。
如需了解有关新产品的更多信息,请访问:
TC75W71FU
如需了解相关东芝运算放大器和比较器的更多信息,请查看以下PDF文件:
Basics of Operational Amplifiers and Comparators (PDF: 1.1MB)
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