1700V SiC MOSFET模組的產品陣容擴大，有助於工業設備的高效化和小型化
產品新聞 2024-03
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）已開始量產工業設備用碳化矽（ SiC ）1700V、汲極電流（DC）額定值250A的SiC MOSFET模組“MG250V2YMS3”，擴大品陣容。
新產品 MG250V2YMS3 具有低導通損耗和 0.8 V（Typ.）的低汲源極導通電壓（感測） [1] 。它還具有低開關損耗，導通開關損耗低至 18 mJ （Typ.） [2] ，關閉開關損耗低至 11 mJ （Typ.） [2] 。這有助於減少設備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸。 MG250V2YMS3 具有 12
nH （Typ.）的低雜訊感，並且能夠進行高速開關。此外，它還能抑制開關操作時的突波電壓。因此，它可用於高頻隔離DC-DC轉換器。
東芝2-153A1A封裝的SiC MOSFET模組有四種現有產品陣容：MG250YD2YMS3（2200 V / 250 A）、MG400V2YMS3（1700 V / 400 A）和MG600Q2YMS3（1200 V / 產品。提供了更廣泛的產品選擇。
東芝將持續滿足工業設備高效率和小型化的需求。
註：
[1] 測試條件：I D =250 A，V GS =+20 V，T ch =25 °C
[2] 測試條件：V DD =900 V，I D =250 A，T ch =150 ° C
應用領域
工業設備
- 鐵路車輛變頻器和轉換器
- 鐵路車輛輔助電源
- 再生能源發電系統
- 工業設備用馬達控制設備
- 高頻DC-DC轉換器等
特徵
- 低汲源極導通電壓（sense）：
V DS(on)sense =0.8 V（Typ.）（I D =250 A，V GS =+20 V，T ch =25 °C）
- 低導通開關損耗：
E on = 18 mJ （Typ.）（V DD = 900 V，ID = 250 A，T ch = 150 °C）
- 低關斷開關損耗：
E off =11 mJ （Typ.）（V DD =900 V，I D =250 A，T ch =150 °C）
- 低雜訊感：
L sPN =12 nH （Typ.）
主要規格
（除非另有說明，Tc=25 °C)
| 零件號 | MG250V2YMS3 | |||
|---|---|---|---|---|
| 東芝的封裝名稱 | 2-153A1A | |||
| 絕對 最大額定值 |
汲源極電壓 VDSS (V) | 1700 | ||
| 閘極源極電壓 VGSS (V) | +25 / -10 | |||
| 汲源極電流 (DC) ID (A) | 250 | |||
| 汲極電流（脈衝 ) IDP (A) | 500 | |||
| 通道溫度 Tch (°C) | 150 | |||
| 隔離電壓 Visol (Vrms) | 4000 | |||
| 電氣 特性 |
汲源導通電壓（偵測） VDS(on)sense (V) |
ID=250 A, VGS=+20 V, Tch＝25 °C |
典型值 | 0.8 |
| 源漏導通電壓（偵測） VSD(on)sense (V) |
IS=250 A, VGS=+20 V, Tch＝25 °C |
典型值 | 0.8 | |
| 源漏關斷電壓（sense） VSD(off)sense (V) |
IS=250 A, VGS=-6 V, Tch＝25 °C |
典型值 | 1.6 | |
| 開通開關損耗 Eon (mJ) |
VDD=900 V, ID=250 A, Tch=150 °C |
典型值 | ||
| 關斷開關損耗 Eoff (mJ) |
典型值 | 11 | ||
| 雜散電感 LsPN (nH) | 典型值 | 12 | ||
內部電路
應用電路範例
附註：
本文檔中所示的應用電路僅供參考。需要進行徹底的評估，特別是在量產設計階段。提供這些應用電路範例並未授予任何工業產權許可。
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