車載機器の低消費電力化に貢献する-60 V耐圧PチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充

製品情報 2023-06

これは、車載機器の低消費電力化に貢献する-60 V耐圧PチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充の製品写真です。

当社は、車載機器向けにSOP Advance(WF)パッケージの-60 V耐圧PチャネルパワーMOSFET「XPH8R316MC、XPH13016MC」の2品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。

新製品XPH8R316MCとXPH13016MCは、車載信頼性規格AEC-Q101に適合しています。SOP Advance(WF)パッケージは、ウェッタブルフランク構造を採用した表面実装タイプで、基板実装状態の自動外観検査が容易となります。また、Cuコネクター構造を採用しパッケージ抵抗を低減しました。
最大ドレイン・ソース間オン抵抗は、XPH8R316MCが8.3 mΩで当社従来製品TPCA8123[注1]と比べて約25 %低減、XPH13016MCが12.9 mΩで当社従来製品TPCA8125[注1]と比べて約49 %低減しました。これにより、車載機器の低消費電力化に貢献します。

[注1] SOP Advanceパッケージ

応用機器

  • 車載機器 (ロードスイッチ、半導体リレー、モータードライブなど)

新製品の主な特長

  • AEC-Q101適合
  • 低オン抵抗
    XPH8R316MC : RDS(ON)=8.3 mΩ (max) (VGS=-10 V)
    XPH13016MC : RDS(ON)=12.9 mΩ (max) (VGS=-10 V)
  • ウェッタブルフランク構造とCuコネクター構造を採用したSOP Advance(WF)パッケージ

 

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25 °C)

品番

XPH8R316MC

XPH13016MC

極性

Pチャネル

絶対最大定格

ドレイン・ソース間電圧  VDSS  (V)

-60
ドレイン電流 (DC)  ID  (A) -90 -60
ドレイン電流 (パルス)  IDP  (A) -180 -120

チャネル温度  Tch  (°C)

175

熱抵抗特性

チャネル・ケース間過渡熱インピーダンス
Zth(ch-c)  (°C/W)

Tc=25 °C

max

0.88

1.13

電気的特性

ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON)  (mΩ)
VGS=-4.5 V max 10.2 16.6
VGS=-10 V max 8.3 12.9

パッケージ

SOP Advance(WF)

シリーズ

U-MOSVI

内部回路構成図

これは、車載機器の低消費電力化に貢献する-60 V耐圧PチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充の内部回路構成図です。

応用回路例

これは、車載機器の低消費電力化に貢献する-60 V耐圧PチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充の応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

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