機器の小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

~最新世代プロセスを採用し、低オン抵抗と安全動作領域の拡大を実現~

2023年6月29日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

これは、機器の小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売についての画像です。

当社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用電源ラインのスイッチング回路、ホットスワップ回路[注1]など向けに、最新世代プロセス「U-MOSⅩ-H (ユー・モス・テン・エイチ) 」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R10AQM」を製品化し、本日から出荷を開始します。

新製品は、ドレイン・ソース間オン抵抗を業界トップクラス[注2]の最大3.1mΩ (VGS=10V) に抑え、従来品の100V耐圧製品「TPH3R70APL」と比べて、約16%低減[注2]しました。また、最新世代プロセス採用により、従来品に対して安全動作領域を76%[注3]拡大し、過渡動作領域での使用にも適しています。オン抵抗の低減と過渡動作領域での動作範囲を拡大することで、並列接続する員数を減らすことができます。さらに、ゲートしきい値電圧範囲を2.5~3.5Vに設定しており、ゲート電圧のノイズによる誤動作を起こりにくくしています。
パッケージは、フットプリントの互換性が高いSOP Advance(N)を採用しました。

当社は今後も、システムの高効率や、信頼性の向上、安定稼働に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進します。

応用機器

  • データセンターや通信基地局などの産業機器用電源
  • 高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源

新製品の主な特長

  • 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗:RDS(ON)=3.1mΩ (max) (VGS=10V)
  • 安全動作領域が広い
  • チャネル温度定格が高い:Tch (max)=175°C

[注1] 機器が稼働した状態での回路基板やケーブルの抜き挿し(ホットスワップ)に対応した回路
[注2] 2023年6月現在、当社調べ。
[注3] パルス幅tw=10ms、VDS=48V

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番 TPH3R10AQM
絶対最大定格 ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) 100
ドレイン電流 (DC) ID (A) Tc=25°C 120
チャネル温度 Tch (°C) 175
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) VGS=10V 3.1
VGS=6V 6.0
ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC) 83
ゲートスイッチ電荷量 Qsw typ. (nC) 32
出力電荷量 Qoss typ. (nC) 88
入力容量 Ciss typ. (pF) 5180
パッケージ 名称 SOP Advance(N)
サイズ typ. (mm) 4.9×6.1
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

TPH3R10AQM

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