業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について
2017年12月18日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
低耐圧パワーMOSFET「U-MOS IX-Hシリーズ」のラインアップを拡充
当社は低耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS IX-H（ユー・モス・ナイン・エイチ）シリーズ」の新製品として、産業機器用電源に適した100V耐圧製品「TPH3R70APL」と「TPN1200APL」を追加し、本日から出荷を開始します。
新製品は、低耐圧トレンチ構造の当社最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用し、素子構造の最適化により業界トップクラス［注1］の低オン抵抗を実現しています。さらに、既存プロセス(U-MOS Ⅷ-H（ユー・モス・エイト・エイチ）)と比べて、スイッチング用途における要求性能指数であるオン抵抗×出力電荷量と、オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を低減[注2]し、低スイッチング損失を実現します。
当社は市場動向に合わせて今後もラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。
応用機器
- 産業機器用電源
- モーター制御機器
新製品の主な特長
- 業界トップクラス［注1］の低オン抵抗
RDS（ON） = 3.7 mΩ（max） ＠VGS = 10 V（TPH3R70APL）
RDS（ON） = 11.5 mΩ（max） ＠VGS = 10 V（TPN1200APL） - 低出力電荷量、低ゲートスイッチ電荷量
- ロジックレベル駆動（4.5 V） に対応
新製品の主な仕様
（特に指定のない限り、Ta=25℃）
| 品番 | 絶対最大定格 | ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC) |
ゲートスイッチ電荷量 Qsw typ. (nC) |
出力 電荷量 Qoss typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
パッケージ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン・ソース間電圧VDSS (V) | ドレイン電流 (DC) ID @Tc = 25℃ (A) |
@VGS=10 V | @VGS=4.5 V | ||||||
| 100 | 90 | 3.7 | 6.2 | 67 | 21 | 74 | 4850 | SOP Advance | |
| 40 | 11.5 | 20 | 24 | 7.5 | 24 | 1425 | TSON Advance | ||
［注1］2017年12月18日現在、同定格の製品において。当社調べ。
［注2］TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOSⅧ-H) と比べてオン抵抗×出力電荷量を10 %低減。
TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOSⅧ-H) と比べてオン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を10 %低減。
当社12V-300V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel：03-3457-3933
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