アクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用小型MOSFETの発売について
平成29年 9月25日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。
本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。
また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。
業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。
応用機器
- 車載向け リレー、ソレノイド駆動用
- 産業向け リレー、ソレノイド駆動用
- OA機器向け クラッチ駆動用
新製品の主な特長
- 誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
- 3.0V低電圧動作
- AEC-Q101適合
新製品の主な仕様
| 項目 (Ta=25℃) |
特性 | ||
|---|---|---|---|
| 絶対最大定格 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
60 | |
| ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) |
±12 | ||
| ドレイン電流 ID (A) |
0.65 | ||
| 電気的特性 | ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) typ. (mΩ) |
|VGS|=3.0V | 1200 |
| |VGS|=5.0V | 800 | ||
| ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC) |
1.5 | ||
| 入力容量 Ciss typ. (pF) |
43 | ||
| パッケージ | SOT-23F | 2.9mm×2.4mm; t=0.8mm | |
内部回路構成図
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3411
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