擴大有助於降低車載應用功耗的 40V N-Channel MOSFET 產品陣容

產品新聞 2023-09

The package photograph of lineup expansion of 40 V N-channel power MOSFETs that contribute to lower power consumption for automotive equipment.

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝Toshiba」)已經開始量產用於車載的 SOP Advance( WF)封裝的 40 V N-Channel MOSFET,並擴大了其產品陣容。這三個型號分別是「XPHR9904PS、XPH2R404PS 和 XPH3R304PS」。

與東芝先前發布的產品 XPHR7904PS 和 XPH1R104PS 一樣,新產品採用 U-MOSIX 製程降低了RDS(ON)。 XPH2R404PS 的RDS(ON)為 2.4 mΩ (最大值),比東芝現有產品 TPCA8083 [1]降低約 27% 。XPH3R304PS 為 3.3 mΩ (最大值),比東芝現有產品TPCA8085 [1] 降低約42 %。 XPHR9904PS 的RDS(ON)為 0.99 mΩ (最大值)。降低這些產品的RDS(ON)有助於實現車載應用的低功耗。此外,也符合車載信賴性標準 AEC-Q101, 並適用於IATF16949 的 PPAP [ 2]

此封裝為表面貼裝型SOP Advance( WF),採用Wettable Flank端子結構,有利於生產組裝時的AOI檢查。

東芝的MOSFET 支援各種車載應用並滿足廣泛的客戶需求。

註:
[1] SOP Advance 封裝

[2] 請聯絡東芝了解更多詳情。

應用領域

  • 車載應用:馬達驅動器、電源相關、負載開關等。

特點

  • 低導通電阻
    XPHR9904PS:R DS(ON) =0.99 mΩ(最大值)(V GS =10 V)
    XPH2R404PS:R DS(ON) =2.4 mΩ(最大值)(V GS =10 V)
    XPH3R304PS:R DS (ON) ) =3.3 mΩ(最大值)(V GS =10 V)
  • 符合AEC-Q101標準
  • 適用於IATF16949 的 PPAP[ 2]

主要規格

(Ta=25 °C 除非另有說明)

元件型號

極性

最大額定值

電氣特性

熱阻

封裝

Drain-

source

voltage

VDSS

(V)

Drain

current

(DC)

ID

(A)

Drain

current

(pulsed)

IDP

(A)

Channel

temperature

Tch

(°C)

Drain-source

On-resistance

RDS(ON)

(mΩ)

Channel-to-case

thermal

impedance

Zth(ch-c)

(°C/W)

VGS=

6 V

VGS=

10 V

溫度=25 °C

最大值

最大值

最大值

XPH3R304PS

N-channel

40

60

120

175

6.3

3.3

1.95

SOP Advance(WF)

XPH2R404PS

90

180

4.1

2.4

1.6

XPH1R104PS[3]

120

360

1.96

1.14

1.13 

XPHR9904PS

130

390

1.63

0.99

0.98

XPHR7904PS[3]

150

450

1.3

0.79

0.88

註:
[3] 東芝先前發布的產品

內部電路

The illustration of internal circuit of lineup expansion of 40 V N-channel power MOSFETs that contribute to lower power consumption for automotive equipment.

應用電路範例

The illustration of application circuit example of lineup expansion of 40 V N-channel power MOSFETs that contribute to lower power consumption for automotive equipment.

注意:
本文檔中所示的應用電路僅供參考。特別是在量產設計階段,需要進行徹底的評估。提供這些應用電路範例並未授予任何工業產權許可。

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