採用L-TOGL™封裝，支持大電流和高散熱的80V ／ 100V車載N溝道功率MOSFET的產品線擴展
產品新聞2023年6月
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（ “東芝” ）推出兩款採用L-TOGL™封裝的車載N溝道功率MOSFET產品，滿足汽車設備對48V電池日益增長的需求。這兩款產品分別是80V “XPQR8308QB”和100 V “XPQ1R00AQB” 。
用於輕型電動汽車和ISG的逆變器、電池管理系統和接線盒的負載開關和半導體繼電器，要求產品具有高可靠性、高漏極電流額定值和高散熱設計[1] 。
新產品採用東芝最新一代U-MOS XH工藝，導通電阻極低。此外， L-TOGL™封裝採用銅夾片結構，通過厚銅框連接MOSFET芯片和外部引腳。與東芝現有TO-220SM(W)封裝相比，封裝電阻下降大約70% ，結殼熱阻降低50% [2] 。同時，該封裝採用鷗翼式引線，可降低安裝應力，提高板載貼裝器件焊點可靠性。這些特性可以在大電流時實現設備的低功耗和高散熱。
當應用需要更大工作電流時，可以並聯MOSFET 。在這種並聯連接中，並聯MOSFET的特性差異越小越好。為減小這種偏差，我們支持根據柵極閾值電壓分組發貨[3] 。
本系列目前有四種L-TOGL™封裝產品，包括東芝現有40V產品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB” 。東芝將提供更多合適的產品，以滿足車載應用對大電流、高功率密度設計和高可靠性不斷增長的需求。
注：
[ 1]ISG :集成式起動發電機
[2]東芝現有產品XK1R9F10QB （ 100V產品）
[3]東芝提供分組出貨，每卷產品柵極閾值電壓偏差範圍為0.4V 。但不允許指定特定組別。請聯繫我們的銷售代表了解更多信息。
應用
- 汽車設備（逆變器、半導體繼電器、負載開關、電機驅動電路等）
特性
- 低導通電阻：:
XPQR8308QB R DS(ON) ＝0.83mΩ（最大值） （V GS ＝10V）
XPQ1R00AQB R DS(ON) ＝1.03mΩ（最大值)（ V GS ＝10V）
- L-TOGL™高散熱封裝
- AEC-Q101認證
主要規格
（除非另有說明， T a ＝ 25 °C ）
器件型號 |
極性 |
絕對最大額定值 |
漏極-源極 導通電阻 RDS(ON) (mΩ) |
結殼 熱阻 Zth(ch-c) (°C/W) |
封裝 |
系列 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
漏極-源極電壓 VDSS (V) |
漏極電流 (DC) ID (A) |
漏極電流（脈衝） IDP (A) |
結溫 Tch (°C) |
VGS=6 V |
VGS=10 V |
Tc=25 °C |
||||
最大值 |
最大值 |
最大值 |
||||||||
| N溝道 | 80 | 350 |
1050 |
175 | 1.23 |
0.83 |
0.2 |
L-TOGL™ | U-MOSⅩ-H | |
| 100 | 300 |
900 |
175 | 1.93 |
1.03 |
0.2 |
||||
內部電路
應用電路示例
注：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。
*L-TOGL™是東芝電子元件及存儲裝置株式會社的商標。
*其他公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等信息，僅反映公告發布當日的情況，如有變更，恕不另行通知。