低オン抵抗で低消費電力化に貢献する、車載機器向け小型MOSFETに40 V耐圧をラインアップ追加
製品情報 2022-03
当社は、車載機器向け40 V耐圧NチャネルMOSFET「SSM6K804R」を製品化し、ラインアップを拡充しました。
新製品SSM6K804Rは、新プロセスの採用により、ゲート・ソース間電圧4.5 V印加時のオン抵抗が最大18 mΩと業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現しています。また、フラットリードによりチップ搭載能力を拡大し、熱抵抗を削減しました。これにより、小型TSOP6Fパッケージで許容損失定格1.5 W[注２]を実現し、機器の低消費電力化に貢献します。
TSOP6Fパッケージは、同等許容損失定格の当社SOP-8パッケージ製品[注3]と比べて実装面積を約70 %削減し、機器の小型化に貢献します。さらに、AEC-Q101に適合しており、車載用昇降圧DC-DCコンバーターなどのさまざまな用途で使用可能です。
[注1] TSOP6Fクラスパッケージ、同耐圧の製品で。当社調べ (2022年２月時点) によるものです。
[注2] ガラスエポキシ基板 (FR4、25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm、Cu pad: 645 mm2)実装時
[注3] TP89R103NLなど
応用機器
- 車載機器 (逆接保護、ロードスイッチ、昇降圧DC-DCコンバーターなど)
新製品の主な特長
- 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗により消費電力を削減
RDS(ON)=18 mΩ (max) @VGS=4.5 V - 熱抵抗を低減し、TSOP6Fパッケージで許容損失定格1.5 W[注２]を実現
- AEC-Q101適合
新製品の主な仕様
(@Ta=25 °C)
品番 |
極性 |
パッケージ |
絶対最大定格 |
電気的特性 |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
名称 |
サイズ typ. (mm) |
ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS (V) |
ゲート・ ソース間 電圧 VGSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
許容 損失 PD (W) |
ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
入力 容量 Ciss typ. (pF) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
||
@VGS= 4.5 V |
||||||||||
Nチャネル |
TSOP6F |
2.9 × 2.8 × 0.8 |
40 |
±20 |
12 |
1.5 |
18 |
1110 |
7.5 |
|
30 |
15 |
12 |
1130 |
7.5 |
||||||
60 |
6 |
51 |
550 |
9.3 |
||||||
100 |
3.5 |
92 |
430 |
3.2 |
||||||
100 |
10 |
36.4 |
1110 |
8.5 |
||||||
[注4] 既存製品
端子配置図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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