採用小型TSOP6F封裝的1.5 W MOSFET產品線擴展，將有助於減小設備尺寸

產品新聞 2022年3月

The package photograph of Lineup Expansion of 1.5 W MOSFET Products that Use The Small TSOP6F Package and Help Reduce The Size of Equipment

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）新推出兩款採用小型高允許功耗TSOP6F封裝的MOSFET產品，以擴展其產品線。 它們分別為20V N溝道「SSM6K824R」和-30V P溝道 「SSM6J825R」， 適用於消費電子設備和工業設備電機控制等應用。 ”

新產品採用東芝新工藝，導通電阻低。 此外，TSOP6F封裝通過扁平引線擴展了晶元安裝能力，降低熱阻。 產品額定功耗僅為1.5W，有助於降低設備功耗。 此外，與類似額定功耗的東芝SOP-8封裝相比，TSOP6F封裝安裝面積約減少70%，有助於減小設備尺寸。 

隨著本次產品線擴充，我們現在有六款N溝道[1]和三款P溝道[1] 採用TSOP6F 封裝的單極性MOSFET產品，擴大了使用者的產品選擇範圍。

注：

[1]截至2022年2月。

應用

  • 消費電子設備，工業設備（電機控制電路，電源管理開關等）

特性

  • 小型TSOP6F封裝：2.9mm×2.8mm×0.80mm（典型值）
  • 高額定允許功耗: PD=1.5 W
  • 低導通電阻減小功耗：
    RDS(ON)=33 mΩ (最大值) @VGS=4.5 V (SSM6K824R)
    RDS(ON)=73 mΩ (最大值) @VGS=-4.5 V (SSM6J825R)

主要特性

(@Ta=25 °C)

器件型號 極性 封裝 絕對最大額定值 電氣特性
名稱
尺寸典型值(mm)


漏極-源極

電壓

VDSS
(V)


柵極-源極

電壓

VGSS
(V)


漏極電流

(DC)
ID
(A)


功耗

PD
(W)


漏極-源極導通電阻

RDS(ON)
最大值(mΩ)


輸入電容

Ciss
typ.
(pF)


柵極電荷總量

Qg
typ.
(nC)
@|VGS|=
4.5 V
SSM6K824R N 溝道 TSOP6F 2.9 × 2.8 × 0.80 20 ±8 6 1.5 33 410 3.6
SSM6K818R
[2][3]		 30 ±20 15 12.0 1130 7.5
SSM6K804R
[2][3]		 40 ±20 12 18 1110 7.5
SSM6K809R
[2][3]		 60 ±20 6 51 550 9.3
SSM6K810R
[2][3]		 100 ±20 3.5 92 430 3.2
SSM6K819R
[2][3]		 100 ±20 10 36.4 1110 8.5
SSM6J801R
[2]		 P溝道 -20 -8/+6 -6.0 32.5 840 12.8
SSM6J825R -30 -20/+10 -4 73 492 6.2
SSM6J808R
[2][3]		 -40 -20/+10 -7 48 1020 24.2

注：

[2] 現有產品

[3] 通過AEC-Q101汽車級認證

引脚分佈

The illustration of pin assignments of Lineup Expansion of 1.5 W MOSFET Products that Use The Small TSOP6F Package and Help Reduce The Size of Equipment

應用電路示例

The illustration of application circuit example of Lineup Expansion of 1.5 W MOSFET Products that Use The Small TSOP6F Package and Help Reduce The Size of Equipment

注：

本文所示應用電路僅供參考。

需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。

提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。

本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊，在公告之日仍為最新資訊，如有變更，恕不另行通知。

開啟新視窗