電源のEMI低減に貢献する60 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの低スパイクタイプ: TPH1R306P1
製品情報 2018-04
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「TPH1R306P1」は電源用途に適した60 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの新製品です。
新製品は、SOP Advanceの面実装パッケージを使用し、ラインアップを拡充しました。低耐圧トレンチ構造の最新世代プロセスU-MOSIX-Hを採用した低スパイクタイプです。スイッチング時にドレイン·ソース間に発生するスパイク電圧を低く抑えることが可能なため、低EMIが求められるスイッチング電源の2次側同期整流に適しています。
U-MOSIX-Hシリーズは、低スパイクタイプと高効率タイプをラインアップしており、目的に応じた製品の選択が可能です。
3つの特⻑
- 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗
RDS(ON)=1.28 mΩ (max) @VGS=10 V
- 低スパイクタイプ
- ロジックレベル駆動 (4.5 V) に対応
[注1] 同定格の製品において、当社調べ (2018年３月時点) によるものです。
用途
- 各種電源
(高効率AC-DCコンバータ、高効率DC-DCコンバータ、スイッチング電源など) - モータ制御機器
(モータドライブなど)
製品仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)
| 品番 | 絶対最大定格 | ドレイン·ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
出力 電荷量 Qoss typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
ゲート 抵抗 rg typ. (Ω) |
パッケージ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID @TC=25 °C (A) |
@VGS =10 V |
@VGS =4.5 V |
||||||
| 60 | 100 | 1.28 | 2.3 | 91 | 77.5 | 6250 | 2.2 | SOP Advance | |
内部回路構成図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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