HN4B101J

高速スイッチング用バイポーラパワートランジスタ

製品概要

用途 MOSゲート駆動用
特長 低飽和電圧
極性 PNP + NPN
内部接続 エミッタコモン
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 SMV
外観 SMV
JEITA SC-74A
パッケージコード SOT-25
ピン数 5
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
2.9×2.8×1.1
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注:Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 単位
コレクター電流 (Q1) IC -1.0 A
コレクター電流 (Q2) IC 1.2 A
コレクター電流 (Q1) ICP -5.0 A
コレクター電流 (Q2) ICP 5.0 A
コレクター損失 (Q1/Q2) (FR4基板(Cu面積645mm**2, ガラスエポキシ t=1.6mm)実装時) PC 0.55 W
コレクター-ベース間電圧 (Q1) VCBO -30 V
コレクター-ベース間電圧 (Q2) VCBO 50 V
コレクター-エミッター間電圧 (Q1) VCEO -30 V
コレクター-エミッター間電圧 (Q2) VCEO 30 V

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
直流電流増幅率 (Q1) (Max) hFE IC=-0.12A
VCE=-2V
500 -
直流電流増幅率 (Q1) (Min) hFE IC=-0.12A
VCE=-2V
200 -
直流電流増幅率 (Q2) (Max) hFE IC=0.12A
VCE=2V
500 -
直流電流増幅率 (Q2) (Min) hFE IC=0.12A
VCE=2V
200 -
コレクター-エミッター間 飽和電圧 (Q1) (Max) VCE(sat) IB=-13mA
IC=-0.4A
-0.2 V
コレクター-エミッター間 飽和電圧 (Q2) (Max) VCE(sat) IB=13mA
IC=0.4A
0.17 V
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ドキュメント

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2023年01月

2024年04月

2024年04月

オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
HN4B101J(TE85L,F) 3000 Yes

アプリケーション

IoTセンサー
IoTセンサーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、各種センサー信号入力部、制御部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
サーモスタット
サーモスタットの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、絶縁部、各種センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
IH炊飯器
IH炊飯器の設計では、高電圧対応、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、IHコイル駆動部、モーター駆動部、ヒーター制御部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
電子レンジ
電子レンジの設計では、低ノイズ化、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、マグネトロン駆動回路部、各種センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

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