2nd Generation Features of SiC MOSFETs

由於碳化矽（SiC）的介電擊穿強度大約是矽（Si）的10倍，因此SiC功率器件可以提供高耐壓和低壓降。 與相同耐壓條件下的Si相比，SiC器件中的單位面積導通電阻更低。 雙極IGBT器件，在Si器件中通常用作1000V或更高的高壓晶體管。 IGBT雙極晶體管與兩種載流子、電子和空穴共同作用，通過將少數載流子和空穴注入漂移層中，從而降低漂移層的電阻。 但是，雙極晶體管的缺點是由於少數載流子的積累而在關斷時產生的拖尾電流，這會增加關斷損耗。 另一方面，由於SiC MOSFET是單極器件，即便在高壓產品中，也只能通過電子工作，因此不會產生拖尾電流; 同時，與Si IGBT相比，其關斷損耗也較低。 因此，SiC MOSFET能夠在高頻範圍內運行，這對於Si IGBT來講，是很難實現的。 此外，無源元件也有助於設計小型化。

柵極輸入電荷和導通電阻
柵極輸入電荷和導通電阻

Toshiba’s TW070J120B 1200V 2nd Generation SiC MOSFETs switches faster than a conventional silicon Si IGBT (low-gate input charges, etc.)

Comparison of V<sub>GSS</sub>, V<sub>th</sub> with Other Companies' Products
VGSS，Vth與其他公司產品的比較

TW070J120B可提供低導通電阻和高柵極電壓閥值（Vth）[2]，可預防故障。 較寬的柵極-源極電壓（VGSS）[1]，支援更簡單的柵極驅動設計。 


[1] VGSS：-10V至25V（對於TW070J120B） 

[2] Vth：4.2V至5.8V（對於TW070J120B）

器件型號 器件目錄 庫存查询 搭載部位・數量 說明
TW070J120B
 SiC MOSFET

Stock Checking

主開關・6

1200 V / 70 mΩ (典型值) @VGS = 20 V / TO-3P(N)

FAQ

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使用SiC MOSFET的好處是什麼？
Toshiba SiCMOS achieves low on-resistance and high-speed switching compared with Si IGBT.

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