Toshiba發布有助於提高電源效率的600V超接合結構N溝道功率MOSFET
· 2023年05月23日
東芝電子元件及存儲裝置株式會社
日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）擴大了其採用最新一代製程製造的N溝道功率MOSFET產品線[1]，該產品採用適合資料中心、開關電源和太陽光電發電機功率調節器的600V超接合結構。新產品TK055U60Z1是DTMOSVI系列中的首款600V產品，自即日起開始出貨。
透過最佳化閘極設計和製程，與具有相同漏源電壓額定值的Toshiba當前一代DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品單位面積漏源導通電阻降低約13%，MOSFET性能品質因數漏源導通電阻×閘漏電荷約降低52%，從而確保該系列同時實現低導通損耗和低開關損耗，有助於提高開關電源的效率。
新產品採用TOLL封裝，可實現其閘極驅動的信號源端子開爾文連接。封裝中源極線中電感的影響得以降低，從而增強MOSFET的高速開關性能，抑制開關期間的振盪。
Toshiba將繼續擴大其600V DTMOSVI系列產品陣容，及其已經發布的650V DTMOSVI系列產品，並透過降低開關電源的功率損耗來支持節能。
注：
[1] 截至2023年6月。
應用
- 資料中心（伺服器用開關電源等）
- 太陽光電發電機功率調節器
- 不斷電系統
特點
- 實現低漏源導通電阻×閘漏電荷，並實現高效率開關電源
主要規格
( 除非另有說明，Ta=25°C )
| 零件編號 | TK055U60Z1 | |||
|---|---|---|---|---|
絕對最大 額定值 |
漏源電壓 VDSS (V) | 600 | ||
| 漏極電流 (DC) ID (A) | 40 | |||
| 溝道溫度Tch (°C) | 150 | |||
| 電氣特性 | 漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ) | VGS=10V | 最大值 | 55 |
| 總閘極電荷 Qg (nC) | 典型值 | 65 | ||
| 閘極漏極電荷 Qgd (nC) | 典型值 | 15 | ||
| 輸入電容 Ciss (pF) | 典型值 | 3680 | ||
| 封裝 | 名稱 | TOLL | ||
| 尺寸 (mm) | 典型值 | 9.9×11.68, t=2.3 | ||
| 樣品檢查和供應情況 |  |
|||
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TK055U60Z1
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