東芝推出採用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支援車載設備對更大電流的需求

2023年1月31日

東芝電子元件及存儲裝置株式會社

日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”) 已推出採用新型L-TOGL™(大型電晶體輪廓鷗翼式引腳)封裝的車載40V N溝道功率MOSFET “XPQR3004PB” 和 “XPQ1R004PB,” 。這兩款產品具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品於今天開始出貨。

近年來,隨著車輛向電動汽車轉換,產業對能滿足車載設備更大功耗的元件的需求也在增加。這兩款新品採用了東芝的新型L-TOGL™封裝,支援大電流,具備低導通電阻和高散熱性能。產品未採用內部接線柱[1]結構,透過引進一個銅夾片將源極連接件和外部引腳一體化。源極引腳採用多針結構,與現有的TO-220SM(W)封裝相比,封裝電阻下降大約30%,從而將XPQR3004PB的漏極額定電流(DC)提高到400A,是當前產品的1.6倍[2]。厚銅框的應用使XPQR3004PB內的溝道到外殼熱阻降低到當前產品的50%[2]。這些特性有利於支援更大的電流,並降低車載設備的損耗。

憑藉新型封裝技術,新產品可簡化散熱設計,減少半導體繼電器和一體化啟動發電機的變頻器等需要大電流的應用所需的MOSFET數量,進而有助於縮小設備尺寸。當需要並聯多個元件為應用提供更大工作電流時,東芝支援這兩款新品分組出貨[3],即依閘極閾值電壓對產品分組。這樣可以確保設計方案採用同一組別的產品,從而減少特性偏差。

因為車載設備可能工作在各種溫度環境下,所以表面黏著的焊點可靠性是一個需要考慮的關鍵因素。新品採用鷗翼式引腳來降低黏著應力,提高了焊點可靠性。

Toshiba Releases Automotive 40V N-channel Power MOSFETs with New High Heat Dissipation Package that Supports Larger Currents for Automotive Equipment

注:
[1] 錫焊連接
[2] 當前產品:採用TO-220SM(W) 封裝的TKR74F04PB
[3] 東芝提供分組出貨,每卷產品的閘極閾值電壓浮動範圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請聯絡東芝銷售代表瞭解更多資訊。

應用

  • 車載設備:變頻器、半導體繼電器、負載開關、馬達驅動器等。

特性

  • 新封裝 L-TOGL™
  • 高額定漏極電流:
    XPQR3004PB : ID=400A
    XPQ1R004PB : ID=200A
  • AEC-Q101 認證
  • 低導通電阻:
    XPQR3004PB : RDS(ON)=0.23mΩ (典型值) at VGS=10V
    XPQ1R004PB : RDS(ON)=0.8mΩ (典型值) at VGS=10V

主要規格

(Ta=25°C 除非另有說明)

元件型號 極性 絕對最大額定值

漏極-源極

導通電阻

RDS(ON) 最大值 (mΩ)

溝道到外殼熱阻

Zth(ch-c)

最大值

@ Tc=25°C

(℃/W)

封裝 系列 樣品查詢 和庫存

漏極-源極電壓

VDSS

(V)

漏極電流

(DC)

ID

(A)

漏極電流

 (脈衝)

IDP

(A)

通道溫度

Tch

(°C)

 

VGS=6V

 

VGS=10V

XPQR3004PB

N-溝道

40

400

1200

175

0.47

0.30

0.2

L-TOGL™

U-MOSIX-H

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XPQ1R004PB

N-溝道

40

200

600

175

1.8

1.0

0.65

L-TOGL™

U-MOSIX-H

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客戶詢問:

  功率元件銷售與市場部

  電話: +81-44-548-2216

* L-TOGL™是東芝電子元件及儲存裝置株式會社的商標。
* 其他公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

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