用途 | パワーマネジメントスイッチ |
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極性 | P-ch×2 |
世代 | U-MOSⅦ |
内部接続 | 独立 |
構成要素形名 (Q1) | SSM6P816R |
構成要素形名 (Q2) | SSM6P816R |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
東芝パッケージ名 | TSOP6F |
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外観 | |
ピン数 | 6 |
実装区分 | 表面実装 |
パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
2.9×2.8×0.8 |
パッケージ寸法図 | 表示 |
参考パッド寸法図 | 表示 |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
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ドレイン-ソース間電圧 (Q1/Q2) | VDSS | -20 | V |
ゲート-ソース間電圧 (Q1/Q2) | VGSS | +/-10 | V |
ドレイン電流 (Q1/Q2) | ID | -6 | A |
許容損失 | PD | 1.4 | W |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
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ゲートしきい値電圧 (Q1/Q2) (Max) | Vth | - | -1.0 | V |
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) | RDS(ON) | |VGS|=4.5V | 30.1 | mΩ |
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) | RDS(ON) | |VGS|=2.5V | 38.8 | mΩ |
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) | RDS(ON) | |VGS|=1.8V | 52.3 | mΩ |
入力容量 (Q1/Q2) (Typ.) | Ciss | - | 1030 | pF |
ゲート入力電荷量 (Q1/Q2) (Typ.) | Qg | VGS=-4.5V | 16.6 | nC |