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クロスリファレンス検索で表示される情報について
クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。
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バイポーラ出力からDMOS出力で低on抵抗を実現
DMOS FET出力の採用による高効率・大電流出力を実現します。
40年の実績をもつバイポーラートランジスターアレイは、様々な用途で使用されてきましたが、入力電流が大きく、駆動用の付加回路が必要となる場合がありました。
新世代のDMOS FET型トランジスターアレイは、入力電流を大幅に削減し、MCUとの接続が容易になりました。また、出力回路の低Ron化により、高耐圧かつ低消費電力を実現しています。
- 当社従来製品と比べ、電力損失を約40%低減。（条件： Ta=25℃, IOUT=200mA において）
- 低入力電流0.1mA(最大) （条件： VIN=3 V において）
- 出力部の絶対最大定格50V、大電流出力1.5A （TBD62064Aシリーズ、TBD62308Aシリーズ）
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