熱抵抗の値がデータシートに記載されていない半導体素子はどのようにして接合温度を求めればよいですか？

まずデータシート記載事項から以下にて熱抵抗 R_th(j-a) の値を算出します。（周囲温度 T_aは 25℃ とします。）
R_th(j-a) = ( T_j(max) – 25 [℃] ) / P_C
T_j(max) : 絶対最大定格の接合温度、P_C : 絶対最大定格のコレクター損失

上述で求めた熱抵抗の値から、以下にて接合温度を求めます。
接合温度上昇分 ΔT_j ＝ 熱抵抗 R_th(j-a) × 半導体素子での損失 P_LOSS
T_j = ΔT_j + 25 [℃]

＊放熱器を取り付けて使用するパッケージの場合、R_th(j-c)を用いることで、より正確な熱計算が可能になります。R_th(j-c)を用いて計算する場合も上述と同様の考え方で求められます。コレクター損失 P_C @ T_c = 25 [℃]を使用してください。
 

バイポーラートランジスターとMOSFETの記号については以下をご参照ください。

以下資料に接合温度の計算に関する説明がございますので、参照ください。

• 熱設計と放熱器への取り付け：パワーMOSFET アプリケーションノート（PDF：1,329KB）