トランジスターの種類
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トランジスターは、大別するとバイポーラー型、電界効果型および絶縁ゲートバイポーラー型の３種類に分類される半導体デバイスです。
バイポーラートランジスターは、電流駆動型、電界効果トランジスター(FET)および絶縁ゲートバイポーラートランジスター(IGBT)は、電圧駆動型のデバイスです。
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第3章 トランジスター
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
MOSFET：低RDS(ON)化
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
MOSFET：アバランシェ耐量
MOSFET：容量特性
MOSFET：安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT：縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET：最大定格
MOSFET：電気的特性
MOSFET：容量・スイッチング特性
MOSFET：ボディーダイオード
関連情報
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