パワーマルチプレクサー回路

2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。当社の多彩なラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・eFuseIC・ツェナーダイオード・MOSFETなど最適なデバイスを選択し、BBMとMBBの切り替え・理想ダイオード特性を実現したリファレンス回路を提供致します。

これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
基板写真(例)
CUHZ30V TPHR6503PL1 TPHR6503PL1 DSF01S30SL SSM3K72CTC TCR1HF33B TCK421G DSF01S30S TC7WZ04FK TPHR6503PL1 TPHR6503PL1 CUHZ6V8 SSM3K15ACTC TCK425G

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特長

  • 2 × 2 cmの小型基板搭載、2入力1出力のパワーマルチプレクサ回路
  • 入力電圧は5 V系から24 V系、出力電流は最大5 Aまで、5種類のリファレンス回路をラインアップ
  • USBパワーデリバリー、急速充電、ワイヤレス給電など多彩な電源系統の切り替えに対応
  • MBB (Make-Before-Break), BBM (Break-Before-Make) 動作切り替え可能
  • 理想ダイオード特性を実現

概要

回路 2入力1出力パワーマルチプレクサー
VINA入力 / VINB入力 5 V/20 V、5 V/12 V、9 V/20 V、5 V/12 V、12 V/24 V
出力電流 (最大値) 3 A～5 A
これは、パワーマルチプレクサー回路のMBB 動作波形(例)です。
MBB 動作波形(例)

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
ツェナーダイオード Module board 12 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
ツェナーダイオード Module board 16 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
ツェナーダイオード Module board 30 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
ツェナーダイオード Module board 6.8 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
小信号ショットキバリアダイオード Module board 30 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOD-962(SL2)
小信号MOSFET Module board N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, CST3C
小信号MOSFET Module board N-ch MOSFET, 60 V, 0.15 A, 3.9 Ω@10V, CST3C
小型・低オン抵抗MOSFET Module board N-ch MOSFET, 30 V, 15 A, 0.0089 Ω@10V, SOT-1220(UDFN6B)
コンパレータ (CMOS) Module board Single Comparator (CMOS), 5.5 V, +/-2.75 V, MP6C
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) Module board One-Gate Logic(L-MOS), Schmitt Inverter, SOT-363(US6)
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) Module board One-Gate Logic(L-MOS), Inverter, SOT-765(US8)
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
eFuse IC Module board 4.4 to 13.2 V/3.65 A eFuse IC, 53 mΩ, WSON10
eFuse IC Module board 4.4 to 18 V/5.0 A eFuse IC, 28 mΩ, WSON10B
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) Module board N-ch MOSFET, 30 V, 0.00065 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) Module board/ Base board N-ch MOSFET, 40 V, 0.00085 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) Module board N-ch MOSFET, 30 V, 0.0016 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H
ロードスイッチIC Base board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6E
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) Base board One-Gate Logic(L-MOS), Schmitt Buffer, SOT-363(US6)
CMOSロジックIC 74HCシリーズ Base board Dual Monostable Multivibrator, SOIC16
ポイントレギュレータ(シングル出力) Base board 200 mA Fixed Output LDO Regulator, 4.8 V, SOT-25(SMV)
抵抗内蔵型トランジスタ(BRT) Base board NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 1 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
抵抗内蔵型トランジスタ(BRT) Base board PNP Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 10 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
スイッチングダイオード Base board 80 V/0.1 A Switching diode, SOD-523(ESC)
低ドロップアウト(LDO)リニアボルテージレギュレータ Module board High voltage, Low quiescent current, Fast load transient CMOS Linear Regulator
低ドロップアウト(LDO)リニアボルテージレギュレータ Module board High voltage, Low quiescent current, Fast load transient CMOS Linear Regulator

関連ドキュメント

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