1.6kW通信機器用48V出力電源

部分ブリッジレスPFC、位相シフト方式DC-DCコンバーターを採用した1Uサイズ・48V出力の通信機器向け1.6kW高効率電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。

これは、1.6kW通信機器用48V出力電源の外観写真です。
これは、1.6kW通信機器用48V出力電源の簡易ブロック図です。

特長

  • 高効率・高出力電源を1Uサイズで実現
  • 48 V出力
  • 変換効率：94.6 % (Vin = 230V、100 %負荷)
  • 外形サイズ：318 mm x 127 mm x 43 mm (基板下部の金属板、ヒートシンクを含む)
  • 最適なパワー素子 (MOSFET、SiCダイオード) 、フォトカプラーをトータルで提案

概要

入力電圧 AC 90 ~ 264 V
出力電圧 DC 48 V
出力電力 0.8 kW (100 V系入力時)、1.6 kW (200 V系入力時)
回路構成 部分ブリッジレスPFC、フェイズシフトフルブリッジ ＋ 同期整流回路、出力Oring回路
これは、1.6kW通信機器用48V出力電源の効率カーブです。
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PFC・2 N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ-H
SiCショットキバリアダイオード PFC・2 650 V/8 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) 一次側・4 N-ch MOSFET, 600 V, 0.14 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ-H
パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) 二次側・8 N-ch MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) Oring・4 N-ch MOSFET, 80 V, 0.00243 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅩ-H
フォトカプラ(IC出力) 一次側、二次側間信号伝達・4 Photocoupler (photo-IC output), High-speed, 50 Mbps, 5000 Vrms, SO6L

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

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