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案例2.【40V系列容限不足,通过45V系列解决问题】

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Keywords:45V系列MOSFET・新世代MOSFET・低RDS(ON)・低Qoss・电源产品开发

浪涌电压超过容限!
难道就只有采取订购特别规格产品这一个解决方案了吗?
解决“就差一点儿”这一问题的U-MOS Ⅸ-H的45V系列

产品说明

兼备30V系列,40V系列和45V系列3大种类的MOSFET。

特征

  • 行业顶尖水平的低RDS(ON)与Qoss间的平衡*1
  • 通过低Qoss,实现低输出损耗*2
  • 产品种类丰富

*1 截至2017年11月,具有同等评级的MOSEFT(根据东芝调查)
*2  QOSS:输出损耗

难题解决方案

工业用设备制造商B公司的课题(员工数:1,500人)

B公司正在以将公司内部规格要求降级20%为目标开发新的电源产品。由于所用输出电源为12V,因此采用标准型40V系列的MOSFET,实施评测时发现浪涌电压会达到34V,比32V多了2V。
如果将浪涌电压控制在32V,就会存在开关速度变慢的问题,而如果使用60V系列等更高电压的MOSFET,则会出现导通电阻变高的问题。尽管可以通过特别订购43V的MOSFET解决问题,但却存在成本过高的问题。
B公司被迫要做出判断“是使用现有规格的MOSFET还是准备特别规格的MOSFET”。

通过新产品U-MOS Ⅸ-H解决问题

在面对需要做出判断的情况下,代理店向B公司介绍了东芝的MOSFET。东芝的新产品MOSFET,U-MOS Ⅸ-H在30V系列,40V系列产品的基础上,还提供45V系列产品。

最新产品U-MOSVIX-H

  • U-MOSIX-H的特征(40V)

    • 高水平的RDS(ON)
      RDS(ON)*3=0.65mΩ typical(VGS=10V)
      *TPWR8004PL

    • 实现了低损耗的低 QQSS:
      RDS(ON)×QOSS=56mΩ・nC(VDS=20V)
      *TPWR8004PL

    • 保证高达175°C的通道温度(Tch)

*3 RDS(ON):漏源导通电阻

Latest U-MOSVIX-H Series

东芝的45V系列的U-MOS Ⅸ-H与40V系列相比,尺寸和边缘面积没有什么变化,因此容易替换。并且RDS(ON)值也比较接近,因此在规格降级20%时,可以容许浪涌电压可达36V。
通过采用东芝的45V系列的U-MOS Ⅸ-H,B公司满足了客户要求,实现了顺利交货。

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