电池的长时间运行是设计各种应用时的常见要求。特别是无线耳机,需要使用小电池,而电池的容量又较小。要使用小容量电池为大量高性能IC供电,并维持其长时间运行,不仅需要降低各高性能IC的功耗,还需要在设计电源电路时采用各种技术。此外,无线耳机在小巧的同时要与耳朵紧密贴合。电路板的尺寸要与耳机的形状相匹配。由于耳机在使用过程中是戴在耳朵上的,所以它们总是暴露在人体产生的静电中而受到静电损坏的风险。
通过充电IC和电源控制IC的电源管理,可以提高无线通信IC、音频IC和闪存等电源的性能。由于这些IC在耳机使用时一直在工作,因此电源必须稳定。LDO的选择对于低电压/大电流电源控制非常重要。东芝TCR5BM和TCR3UG系列LDO稳压器具有从0.8V到5.0V的宽电压输出范围和低电流消耗。使用这些产品可以优化整个系统的运行,从而达到既节省空间又降低功耗的目的。
此外,耳机充电端、麦克风和其他外露部件都可能产生静电。为了避免静电造成的损害,东芝高IPP TVS二极管(ESD保护二极管)可用于抑制几个ns级到ms级的ESD和瞬态电压。由于对小型外壳的需求越来越大,为了实现电路小型化,这些产品也提供小封装。此外,它还通过了IEC61000-4系列认证,可以提供比以往更简单、更强大的保护电路。
东芝提供广泛的LDO稳压器产品线,能满足高性能要求,如低压差和低电流消耗。
产品编号 |
封装 (宽×长×高mm) |
产品概述 |
查看线上分销商库存 |
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DFN5B |
低压差,VDO=95mV(典型值)(@IOUT=500mA),VOUT=1.0V(典型值),IOUT=500mA(最大值) |
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DFN5B |
低压差,VDO=105mV(典型值)(@IOUT=500mA),VOUT=1.2V(典型值),IOUT=500mA(最大值) |
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WCSP4F |
低静态电流,IB(ON)=0.34μA(典型值)(@IOUT=0mA),VOUT=1.8V(典型值),IOUT=300mA(最大值) |
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WCSP4F |
低静态电流,IB(ON)=0.34μA(典型值)(@IOUT=0mA),VOUT=3.3V(典型值),IOUT=300mA(最大值) |
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SDFN4 |
低压差,VDO=210mV(典型值)(@IOUT=150mA),VOUT=1.8V(典型值),IOUT=200mA(最大值) |
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SDFN4 |
低压差,VDO=130mV(典型值)(@IOUT=150mA),VOUT=3.3V(典型值),IOUT=200mA(最大值) |
TVS二极管可保护器件不受浪涌电压的影响,例如外部端子静电,或防止IC发生故障。 通过独创的工艺技术实现高性能电路保护。
产品编号 |
封装 (宽×长×高mm) |
产品概述 |
查看线上分销商库存 |
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SOD-962(SL2) |
VESD=+/-10kV,VRWM=+/-5.5V(最大值),CT=1.5pF(典型值)(@VR=0V,f=1MHz),Rdyn=0.25Ω(典型值) | ||
SOD-962(SL2) |
VESD=+/-30kV,VRWM=+/-5.5V(最大值),CT=8.5pF(典型值)(@VR=0V,f=1MHz),Rdyn=0.2Ω(典型值) | ||
DF2S6P1CT | SOD-882(CST2) |
VESD=+/-30kV,VRWM=5.5V(最大值),CT=90pF(典型值)(@VR=0V,f=1MHz),Rdyn=0.23Ω(典型值) | ![]() |