DC-AC逆变器电路说明

使用分立器件解决方案的电路示例

电路说明

DC-AC逆变器方框图示例

DC-AC逆变器电路中的信号线需要与电源线隔离。光耦可用于简单可靠的隔离。建议使用具有高速通信能力的IC输出光耦。此外,还要遵守各国规定的安全标准。东芝光耦已通过了UL1577、VDEs:EN60747-5-5、EN62368-1等认证。由于有低导通电阻的MOSFET,输出级有助于降低功耗,并且由于具有高耐压和大电流晶体管阵列,输出级还有助于提高输出。

下面列出了典型推荐产品的示例,还提供了一个到在线分销商库存搜索页面的链接,以便购买该产品。

我们的隔离器/固态继电器有光耦、固态继电器(SSR)和光传输模块等产品。光耦可显著提高设备安全性,降低功耗,使其变得更小、更薄。

器件型号

数据表 封装
(宽×长×高mm)

产品概述

TLP5214
 

Stock Checking

PDF
(978KB)

SO16L
(10.3×10.0×2.1)

SO16L

BVS(最小值)=5[kVrms],Topr=-40至110[°C]
Ic输出具有保护功能的栅极驱动电路

TLP5231
 

Stock Checking

PDF
(1742KB)

SO16L
(10.3×10.0×2.1)

SO16L

BVS(最小值)=5[kVrms],Topr=-40至110[°C]
Ic输出具有保护功能的栅极驱动电路

TLP5754
 

Stock Checking

PDF
(1012KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS(最小值)=5[kVrms],Topr=-40至110[°C]
图腾柱输出单功能栅极驱动电路

TLP2761
 

Stock Checking

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(1127KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS(最小值)=5[kVrms],Topr=-40至125[°C]
图腾柱输出高速逻辑

TLP2768A

Stock Checking

PDF
(1254KB)

SO6L
(3.84×10×2.1)

SO6L

BVS(最小值)=5[kVrms],Topr=-40至125[°C]
集电极开路输出高速逻辑

通过采用沟槽结构和卓越的小型化技术,改进电池单元集成,从而改进漏源导通电阻RDS(ON)。

器件型号

数据表 封装
(宽×长×高mm)

产品概述

TK25A60X
 

Stock Checking

PDF
(237KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS=600[V],IO=25[A],RDS(ON)(典型值)=0.105[Ω],
N沟道MOSFET

TK16A60W5
 

Stock Checking

PDF
(244KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS=600[V],IO=16[A],RDS(ON)(典型值)=0.18[Ω],
N沟道MOSFET

TK110A65Z
 

Stock Checking

PDF
(469KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS=650[V],IO=24[A],RDS(ON)(典型值)=0.092[Ω],
N沟道MOSFET

TK190A65Z
 

Stock Checking

PDF
(469KB)

TO-220SIS
(10.0×15.0×4.5)

TO-220SIS

VDSS=650[V],IO=15[A],RDS(ON)(典型值)=0.158[Ω],
N沟道MOSFET

TPN19008QM

Stock Checking

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(512KB)

TSON Advance
(3.3×3.3×0.85)

TSON Advance

VDSS=80[V],IO=34[A],RDS(ON)(典型值)=0.0147[Ω],
N沟道MOSFET

TPH2R408QM

Stock Checking

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(637KB)

SOP Advance
(5.0×6.0×0.95)

SOP Advance

VDSS=80[V],IO=120[A],RDS(ON)(典型值)=0.0019[Ω],
N沟道MOSFET

TK100E10N1

Stock Checking

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(247KB)

TO-220
(10.16×15.1×4.45)

TO-220

VDSS=100[V],IO=100[A],RDS(ON)(典型值)=0.0028[Ω],
N沟道MOSFET

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应用 / 不间断电源
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控制MCU和输出DC-DC转换器之间的信号传输电路示例
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应用 / 不间断电源
输出DC-DC转换器(电池充电器)
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