Asia-Pacific
English
简体中文
繁體中文
한국어
日本語
Americas
English
Europe (EMEA)
English



型号搜索

交叉搜索

About information presented in this cross reference

The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
Please note that this cross reference is based on TOSHIBA's estimate of compatibility with other manufacturers' products, based on other manufacturers' published data, at the time the data was collected.
TOSHIBA is not responsible for any incorrect or incomplete information. Information is subject to change at any time without notice.

关键词搜索

参数搜索

库存查询与购买

电源管理

电源管理方框图示例

电路说明

电源管理方框图示例

在集成电源IC的PMIC前段的电源管理中,闪存和SSD控制器等模块需要更高的电源性能。对于低压/大电流功率控制而言,如何选择用于电压转换的负载开关和LDO尤为重要。

东芝TCR3UG系列LDO稳压器的特点是,它的电压输出范围很广泛,从0.8V到5.0V,并且电流消耗低。此外,大电流LDO TCR15AG系列采用双电源,能够在0.6V到3.6V的输出电压下输出1.5A,且压差低。它们能实现小型化和低功耗。此外,东芝的负载开关IC和MOSFET具有过压保护和过流保护电路,它们结合使用可以提高可靠性。

与传统电路相比,小尺寸、低工作电压、低导通电阻和低静态电流有助于小型化和节能。

产品名称

封装
(宽×长×高mm)

产品概述

查看线上分销商库存

TCK111G

WCSP6C
(1.5×1.0×0.5)

VIN=5.5V,IOUT(直流)=3A(最大值),N沟道,反向电流保护

TCK206G

WCSP4C
(0.9×0.9×0.5)

VIN=3.6V,IOUT(直流)=2A(最大值),N沟道,反向电流保护

TCK301G

WCSP9
(1.5×1.5×0.54)

VIN=28V,IOUT(直流)=3A(最大值),N沟道,过压保护@6.6V

TCK303G

WCSP9
(1.5×1.5×0.54)

VIN=28V,IOUT(直流)=3A(最大值),N沟道,过压保护@15.5V

新工艺技术和低电阻封装技术的结合实现了行业最高水平的低导通电阻,有助于降低损耗和小型化,适合广泛的负载开关应用。

产品名称

封装
(宽×长×高mm)

产品概述

查看线上分销商库存

SSM6J771G

WCSP6C
(1.5×1.0×0.5)

P沟道,VDSS=-20V,ID=-5A,RDS(ON)=35mΩ(最大值)(VGS=-4.5V)

SSM3J338R

SOT-23F
(2.9×2.4×0.8)

P沟道,VDSS=-12V,ID=-6A,RDS(ON)=20.2mΩ(最大值)(VGS=-4.5V)

SSM3K324R

SOT-23F
(2.9×2.4×0.8)

N沟道,VDSS=30V,ID=4A,RDS(ON)=56mΩ(最大值)(VGS=4.5V)

SSM6J502NU

UDFN6B
(2.0×2.0×0.75)

P沟道,VDSS=-20V,ID=-6A,RDS(ON)=23.1mΩ(最大值)(VGS=-4.5V)

SSM6K504NU

UDFN6B
(2.0×2.0×0.75)

N沟道,VDSS=30V,ID=9A,RDS(ON)=26mΩ(最大值)(VGS=4.5V)

SSM3K35AMFV

VESM
(1.2×1.2×0.5)

N沟道,VDSS=20V,ID=0.25A,RDS(ON)=1.1Ω(最大值)(VGS=4.5V)

SSM3J35AMFV

VESM
(1.2×1.2×0.5)

P沟道,VDSS=-20V,ID=-0.25A,RDS(ON)=1.4Ω(最大值)(VGS=-4.5V)

通过使用LDO稳压器,可减少AC-DC转换器产生的电路噪声和纹波,大幅提升稳定性。

产品名称

封装
(宽×长×高mm)

产品概述

查看线上分销商库存

TCR3UG18A

WCSP4F
(0.645×0.645×0.33)

低静态电流0.34μA(典型值)(@IOUT=0mA),VOUT=1.8V(典型值),IOUT=300mA(最大值)

TCR3UG33A

WCSP4F
(0.645×0.645×0.33)

低静态电流0.34μA(典型值)(@IOUT=0mA),VOUT=3.3V(典型值),IOUT=300mA(最大值)

TCR15AG09

WCSP6F
(1.2×0.8×0.33)

低压差120mV(典型值)(@IOUT=1500mA),VOUT=0.9V(典型值),IOUT=1.5A(最大值)

TCR15AG10

WCSP6F
(1.2×0.8×0.33)

低压差125mV(典型值)(@IOUT=1500mA),VOUT=0.9V(典型值),IOUT=1.5A(最大值)

TCR15AGADJ

WCSP6F
(1.2×0.8×0.33)

低压差可调输出电压型,VOUT=0.6至3.6V,IOUT=1.5A(最大值)

TCR2EF18

SOT-25(SMV)
(2.9×2.8×1.1)

低压差230mV(典型值)(@IOUT=200mA),VOUT=1.8V(典型值),IOUT=200mA(最大值)

TCR2EF33

SOT-25(SMV)
(2.9×2.8×1.1)

低压差150mV(典型值)(@IOUT=200mA),VOUT=3.3V(典型值),IOUT=200mA(最大值)

TCR3DM18

DFN4
(1.0×1.0×0.58)

低压差270mV(典型值)(@IOUT=300mA),VOUT=1.8V(典型值),IOUT=300mA(最大值)

TCR3DM33

DFN4
(1.0×1.0×0.58)

低压差180mV(典型值)(@IOUT=300mA),VOUT=3.3V(典型值),IOUT=300mA(最大值)

其他电路说明

电源保护

其他方框图

信号系统
外部连接器的ESD器件保护电路示例
应用 / 固态硬盘
电平转换(1)
使用MOSFET的电压电平转换电路示例
应用 / 固态硬盘
电平转换(2)
使用逻辑IC的电压电平转换电路示例
应用 / 固态硬盘

其他技术内容

不间断电源(UPS)解决方案
提高电源性能和保护功能,有助于节能和稳定运行
温控器解决方案
有助于产品小型化、延长使用寿命并提高质量和可靠性
空气净化器解决方案
将“过滤”与高性能过滤器和物联网结合,净化脏污的空气
IoT传感器解决方案
超低功耗、小尺寸、高精度感应
电动牙刷解决方案
如何获得人手无法实现的口腔护理?
无线耳机解决方案
无线耳机使用小电池,长时间运行
空调的半导体解决方案
如何在不增加功耗的情况下提高空调性能?
智能音箱解决方案
为家庭网络中心添加显示器和摄像头
服务器半导体解决方案
通过提高电源性能和保护功能,促进节能和稳定运行
SSD解决方案
实现小型化、高可靠性和长寿命
智能手表解决方案
实现更多功能,延长续航时间和缩小体积
无绳电动工具解决方案
实现体积小、重量轻、携带方便、易于使用、长时间运行等特性
在新窗口打开