智能手表解决方案
智能手表如果尺寸大又需要经常充电，是不是就不够智能？为智能手表等可穿戴的移动设备应用设计的电源电路，将需要解决许多技术问题，从而满足用户的高期望。使用东芝先进的高性能电源管理IC，可以降低电流消耗和电池充电频率。除了这些电源管理IC之外，为了促进移动设备的发展，东芝还提供用于放大传感器信号（移动设备的一个关键功能）的运算放大器以及高性能和小尺寸封装的分立产品，例如MOSFET、TVS二极管（ESD保护二极管）、SBD和晶体管。
特性
- 丰富的电源管理IC产品线支持电源电路设计，满足各种要求
- 降低电源管理IC的电流消耗以降低电池充电频率
- 采用移动设备理想的小型化封装，减小电源电路空间
- 符合新安全标准（IEC-62368-1）（eFuse IC）
- 网站上提供实用的应用说明、参考设计和其他文档，有助于缩短设计周期。
电源管理
充电电路的设计不仅要实现对于无线充电和有线充电的可靠控制，还需要保护电路免受电源意外短路、EMI等外部噪声以及其他异常情况的影响。
东芝的负载开关IC和eFuse IC都内置了过压保护和过流保护等保护电路。通过使用东芝的FET和二极管，这些电源管理IC的可以提供更好的性能。
对于集成电源IC的PMIC后段电路中的电源管理，敏感传感器和芯片组等模块可能对电源有着更高的性能要求。东芝的LDO稳压器和负载开关IC具备很小的电流消耗来提供高性能，并采用小型晶圆级芯片尺寸封装。
推荐的电源管理产品
通常，当使用MOSFET作为负载开关时，用于稳定电压的大电容将连接到MOSFET的输出侧。当导通MOSFET时，浪涌电流流至该电容器进行充电。关于抑制浪涌电流的MOSFET栅极驱动电路，请参阅“MOSFET栅极驱动电路：功率MOSFET应用说明。”
器件型号 |
封装 （宽×长×高mm） |
产品概述 |
查看在线分销商库存 |
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CST3C
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P沟道，VDSS＝-20V，ID＝-250mA，RDS(ON)＝1.4Ω（最大值）（VGS＝-4.5V） |
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CST3C
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N沟道，VDSS＝20V，ID＝250mA，RDS(ON)＝1.1Ω（最大值）（VGS＝4.5V） |
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CST3
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P沟道，VDSS＝-20V，ID＝-1.4A，RDS(ON)＝390mΩ（最大值）（VGS＝-4.5V） |
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CST3
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N沟道，VDSS＝20V，ID＝1.4A，RDS(ON)＝235mΩ（最大值）（VGS＝4.5V） |
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负载开关IC是采用CMOS工艺制造的内置输出晶体管和输出驱动电路的电源IC。它比传统的分立配置小得多。它还具有低电压运行、低导通电阻特性和低电流消耗等特点，并配有各种附加功能。
器件型号 |
封装 （宽×长×高mm） |
产品概述 |
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|---|---|---|---|
WCSP4D
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RON＝34mΩ（典型值）（VIN＝5.0V，-0.5A），IOUT＝1.0A，VIN＝1.1V至5.5V，CONTROL和GND之间的高电平有效和下拉连接 |
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WCSP4D
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RON＝34mΩ（典型值）（VIN＝5.0V，-0.5A），IOUT＝1.0A，VIN＝1.1V至5.5V，内置自动放电，CONTROL和GND之间的高电平有效和下拉连接 |
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WCSP4D
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RON＝34mΩ（典型值）（VIN＝5.0V，-0.5A），IOUT＝1.0A，VIN＝1.1V至5.5V，内置自动放电，低电平有效 |
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当电流过大时，内部检测电路开始工作，内置MOS关闭，从而为传统保险丝提供高速断流功能。此外，它不会被一次过电流破坏，可以重复使用。它还具有可集成多种保护功能的优点，例如过压保护。并且，它还能有效地减少维修成本和修复时间。
该产品线涵盖了通用封装到紧凑型封装，具有低噪声、高电源抑制比（PSRR）、高输出电流稳定性（负载瞬态响应）、低电流消耗以及模拟电路所需的其他高性能要求。
器件型号 |
封装 （宽×长×高mm） |
产品概述 |
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|---|---|---|---|
WCSP4F
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低静态电流0.34μA（典型值）（@IOUT＝0mA），VOUT＝1.2V（典型值），IOUT＝300mA （最大值） |
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WCSP4F
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低静态电流0.34μA（典型值）（@IOUT＝0mA），VOUT＝1.8V（典型值），IOUT＝300mA （最大值） |
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WCSP4F
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低静态电流0.34μA（典型值）（@IOUT＝0mA），VOUT＝2.8V（典型值），IOUT＝300mA （最大值） |
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WCSP4F
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低静态电流0.34μA（典型值）（@IOUT＝0mA），VOUT＝3.0V（典型值），IOUT＝300mA （最大值） |
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| TCR3UG33A | WCSP4F
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低静态电流0.34μA（典型值）（@IOUT＝0mA），VOUT＝3.3V（典型值），IOUT＝300mA （最大值） |  |
这是一个内置了升压和保护电路的紧凑型N沟道MOSFET驱动IC。使用它及MOSFET即可以实现紧凑型低损耗电源。
此二极管将保护器件免受从外部端子渗透的静电等浪涌电压的影响，并防止IC发生故障。我们凭借专有的工艺技术已经实现了高静电抗扰度和电路保护性能。我们提供涵盖通用到高速信号应用的广泛产品线。
肖特基势垒二极管使用金属和n型半导体的肖特基结，具有非常小的VF特性，而且因其不使用空穴作为载流子而实现了高速操作。
器件型号 |
封装 （宽×长×高mm） |
产品概述 |
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|---|---|---|---|
SL2
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肖特基势垒二极管，VR＝30V，ID＝0.1A，VF＝0.51V （典型值）（IF＝100mA），IR＝0.0007mA（最大值）（VR＝30V） |
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SL2
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肖特基势垒二极管，VR＝30V，ID＝0.1A，VF＝0.41V （典型值）（IF＝100mA），IR＝0.05mA（最大值）（VR＝30V） |
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CST2
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肖特基势垒二极管，VR＝30V，ID＝0.2A，VF＝0.52V （典型值）（IF＝200mA），IR＝0.005mA（最大值）（VR＝30V） |
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CST2
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肖特基势垒二极管，VR＝30V，ID＝0.2A，VF＝0.45V （典型值）（IF＝200mA），IR＝0.03mA（最大值）（VR＝30V） |
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接口
还应考虑接口电路的设计。该接口电路包括一个子系统，该子系统将传感器输出信号准确地输入到MCU或输出信号以控制显示器或无线模块。
传感器需要高精度传感。为了将感测信号准确地传输到下一级系统，例如MCU的AD转换器输入，需要具有超低偏置电压和低噪声的运算放大器来放大信号电平。东芝提供可以满足这些要求的运算放大器。
此外，东芝还提供TVS二极管（ESD保护二极管）来保护内部电路，防止意外的外部ESD损坏移动设备。这种TVS二极管设计用于最大限度减少插入损耗，以最大限度减少电信号的衰减，可用于速度高达10Gbps的信号线。
推荐的接口产品
此二极管将保护器件免受从外部端子渗透的静电等浪涌电压的影响，并防止IC发生故障。我们凭借专有的工艺技术已经实现了高静电抗扰度和电路保护性能。我们提供涵盖通用到高速信号应用的各种产品线。
器件型号 |
封装 （宽×长×高mm） |
产品概述 |
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|---|---|---|---|
SL2
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VRMW＝+/-3.3V VESD＝+/-20kV IPP＝2.5A CT＝0.3pF （典型值） |
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SL2
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VRMW＝+/-5.0V VESD＝+/-20kV IPP＝2.5A CT＝0.3pF （典型值） |
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SL2
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VRMW＝+/-24V VESD＝+/-15kV IPP＝0.5A CT＝0.2pF （典型值） |
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SL2
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VRMW＝+/-3.6V VESD＝+/-16kV IPP＝2A CT＝0.15pF （典型值） |
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SL2
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VRMW＝+/-5.5V VESD＝+/-15kV IPP＝2A CT＝0.15pF （典型值） |
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通过使用超低噪声运算放大器，可将检测到的信号和放大的信号电平可以准确地传输到MCU。
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其他技术内容
