服务器半导体解决方案

近年来，随着环境问题日益严重，人们普遍追求节约能源，同时处理的数据量增加了，设备的性能也得到提升。因此，服务器（数据中心）的能耗不断增加，节能措施不可或缺。这些措施的重点是发热问题。由于服务器和其他设备的能耗增加导致发热量增加，使用空调来冷却这些设备也将消耗大量电力。因此，服务器和其他设备必须致力于有效使用电力并减少发热。东芝的MOSFET结合了最新工艺和高散热封装，有助于在高负载运行时有效使用电力，其性能适合用于服务器等电源电路。除了发热问题，维持服务器稳定运行的挑战也越来越多。通过使用具有各种保护功能的高性能半导体产品，如东芝的光耦、eFuse IC、TVS二极管（ESD保护二极管），可以解决影响稳定运行的相关问题。

特性

用于电源电路的MOSFET通过采用最新工艺，可以实现高效运行
MOSFET使用高散热封装，以提高散热性能
光耦合器可提供高隔离电压，提高信号线的运行稳定性
符合新的安全标准（IEC-62368-1及其他）（eFuse IC，光耦）
网站上提供实用的应用手册、参考设计和其它文档，有助于缩短设计周期。

DC-DC电源

DC-DC电源产品推荐

对于DC-DC电源的PFC电路，可使用配备高V_DSS和低R_DS(ON)的MOSFET。通过保持低导通电阻，可以最大限度地减少发热和电流消耗并降低输出损耗。此外，东芝的功率MOSFET系列采用高散热封装，可进一步减少发热。

在DC-DC电源电路中，晶体管输出光耦用于向一次侧反馈电压。由于一次侧和二次侧需要不同电位的信号传输，因此利用光耦合型光电耦合器可以简单可靠地实现信号路径隔离。还建议在电源电路中使用具有高速通信能力的IC输出光耦。

此外，必须遵守各国制定的安全标准。东芝光耦通过了 UL1577VDE：EN60747-5-5、EN62368-1等认证。

东芝提供了开关电源选型工具库（SMPS Lib.），以支持诸如DC-DC电源等电源设计。此外，参考设计中心还发布了各种电源电路的设计示例，为各种高效电源电路提供了设计思路。上述两种方法均可免费使用，以帮助您设计电源。

开关电源选型工具库（SMPS Lib.）
轻松选择最佳电路和MOSFET。下载可在OrCAD^®、LTspice^®运行环境中使用的电路数据。

参考设计中心
发布可用于终端设备的各种参考设计

DC-DC电源产品推荐

MOSFET

新工艺和低导通电阻封装技术的结合，实现了行业内高水平的低导通电阻，有助于减少损耗以及小型化以实现广泛应用。

产品名称	封装（宽×长×高mm）	产品概述
TPH3R70APL	SOP Advance (5.0×6.0×0.95)	N沟道，V_DSS＝100V，I_D＝150A，R_DS(ON)＝3.7mΩ（最大值）（@V_GS＝10V)
TK040N65Z	TO-247 (15.94×20.95×5.02)	N沟道，V_DSS＝650V，I_D＝57A，R_DS(ON)＝40mΩ（最大值）（@V_GS＝10V)
SSM6K341NU	UDFN6B (2.0×2.0×0.75)	N沟道，V_DSS＝60V，I_D＝6A，R_DS(ON)＝36mΩ（最大值）（@V_GS＝10V)
SSM3K341R	SOT-23F (2.9×2.4×0.8)	N沟道，V_DSS＝60V，I_D＝6A，R_DS(ON)＝36mΩ（最大值）（@V_GS＝10V)

隔离器／固态继电器

在AC-DC电源中，可在二次侧输出到一次侧的反馈电路中有效地使用光耦。其广泛的产品线有助于提高安全性、降低功耗和缩小终端产品的尺寸。

产品名称	封装（宽×长×高mm）	产品概述
TLP785	DIP4(TLP785) (4.6×7.62×3.5)	晶体管输出，BV_S＝5kVrms，T_opr＝-55至110℃
TLP291(SE	SO4 (2.6×7.0×2.1)	晶体管输出，BV_S＝3.75kVrms，T_opr＝-55至110℃
TLP2767	SO6L (3.84×10×2.1)	IC输出，BV_S＝5kVrms，T_opr＝-40至125℃

产品名称

封装
（宽×长×高mm）

产品概述

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TLP785

DIP4(TLP785)
(4.6×7.62×3.5)

晶体管输出，BV_S＝5kVrms，T_opr＝-55至110℃

TLP291(SE

SO4
(2.6×7.0×2.1)

晶体管输出，BV_S＝3.75kVrms，T_opr＝-55至110℃

TLP2767

SO6L
(3.84×10×2.1)

IC输出，BV_S＝5kVrms，T_opr＝-40至125℃

低压差稳压器（LDO稳压器）

通过使用LDO稳压器，可减少AC-DC转换器产生的电路噪声和纹波，大幅提升稳定性。

产品名称	封装（宽×长×高mm）	产品概述	查看线上分销商库存
TCR3UG12A	WCSP4F (0.645×0.645×0.33)	V_IN＝6.0V（最大值），V_OUT＝1.2V（典型值），I_OUT＝300mA（最大值），V_NO＝50μVrms（典型值）
TCR3UG50A	WCSP4F (0.645×0.645×0.33)	V_IN＝6.0V（最大值），V_OUT＝5.0V（典型值），I_OUT＝300mA（最大值），V_NO＝50μVrms（典型值）

产品名称

封装
（宽×长×高mm）

产品概述

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TCR3UG12A

WCSP4F
(0.645×0.645×0.33)

V_IN＝6.0V（最大值），V_OUT＝1.2V（典型值），I_OUT＝300mA（最大值），V_NO＝50μVrms（典型值）

TCR3UG50A

WCSP4F
(0.645×0.645×0.33)

V_IN＝6.0V（最大值），V_OUT＝5.0V（典型值），I_OUT＝300mA（最大值），V_NO＝50μVrms（典型值）

电源连接

电源连接产品推荐

eFuse IC、TVS二极管（ESD保护二极管）有助于保护电源线免受热插拔引起的电涌影响。eFuse IC在单个封装中集成了多种保护功能，如短路、过流、过压和浪涌电流抑制。它有助于保护设备免受过压、过流等电涌的影响。eFuse IC符合IEC62368-1的规范。通过使用高IPP TVS二极管（ESD保护二极管）和SBD组合可进一步提升保护性能.

电源连接产品推荐

eFuse IC

TCKE805系列是具有短路、过压钳位和过热保护等多重保护功能的单芯片产品，可在狭小空间内实现高速、多功能5A电路保护。由于获得了国际公认安全标准IEC62368-1的认证，它还有助于节约设备设计的劳动力。

产品名称	封装（宽×长×高mm）	产品概述	查看线上分销商库存
TCKE805NA	WSON10B （3.0×3.0×0.7）	自动重试型，R_ON＝28mΩ，I_OUT （直流）＝5.0A（最大值），V_OVC（钳位电压）＝6.0V
TCKE805NL	WSON10B （3.0×3.0×0.7）	锁存型，R_ON＝28mΩ，I_OUT （直流）＝5.0A （最大值），V_OVC （钳位电压）＝6.0V

产品名称

封装
（宽×长×高mm）

产品概述

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TCKE805NA

WSON10B
（3.0×3.0×0.7）

自动重试型，R_ON＝28mΩ，I_OUT （直流）＝5.0A（最大值），V_OVC（钳位电压）＝6.0V

TCKE805NL

WSON10B
（3.0×3.0×0.7）

锁存型，R_ON＝28mΩ，I_OUT （直流）＝5.0A （最大值），V_OVC （钳位电压）＝6.0V

TVS二极管（ESD保护二极管）

为防止外部浪涌电压造成器件损坏或故障，提供小封装的1通道至4通道的广泛的保护二极管产品线，并通过独创工艺技术实现了高ESD耐受性和电路保护性能。

产品名称	封装（宽×长×高mm）	产品概述
DF2B7BSL	SOD-962 (SL2) (0.62×0.32×0.3)	V_RMW＝+／-5.5V，V_ESD＝+／-30kV，I_PP＝7.3A，C_t＝12pF
DF2B7ASL	SOD-962 (SL2) (0.62×0.32×0.3)	V_RMW＝+／-5.5V，V_ESD＝+／-30kV，I_PP＝4A，C_t＝8.5pF
DF2S14P2CTC	SOD-963 (CST2C) (1.6×0.8×0.48)	V_RMW＝+／-12.6V，V_ESD＝+／-30kV，I_PP＝50A，C_t＝270pF

产品名称

封装
（宽×长×高mm）

产品概述

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DF2B7BSL

SOD-962 (SL2)
(0.62×0.32×0.3)

V_RMW＝+／-5.5V，V_ESD＝+／-30kV，I_PP＝7.3A，C_t＝12pF

DF2B7ASL

SOD-962 (SL2)
(0.62×0.32×0.3)

V_RMW＝+／-5.5V，V_ESD＝+／-30kV，I_PP＝4A，C_t＝8.5pF

DF2S14P2CTC

SOD-963 (CST2C)
(1.6×0.8×0.48)

V_RMW＝+／-12.6V，V_ESD＝+／-30kV，I_PP＝50A，C_t＝270pF

MOSFET栅极驱动电路IC

它集成了一种非常小的N沟道FET驱动IC、内置升压电路和MOSFET保护电路，有猪油小型化设计和电源电路低损耗。

产品名称	封装（宽×长×高mm）	产品概述	查看线上分销商库存
TCK401G	WCSP6E (1.2×0.8×0.55)	V_IN＝28V（最大值），I_Q＝121μA（典型值）@ V_IN＝5V T_opr＝-40 至85℃，高电平有效
TCK402G	WCSP6E (1.2×0.8×0.55)	V_IN＝28V（最大值），I_Q＝121μA（典型值）@ V_IN＝5V T_opr＝-40 至85℃，低电平有效

产品名称

封装
（宽×长×高mm）

产品概述

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TCK401G

WCSP6E
(1.2×0.8×0.55)