xEV逆变器

xEV逆变器

Such as reduction of power consumption and miniaturization are important in designing xEV inverter. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for motor drive circuit units, etc., along with circuit configuration examples.

总方框图

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 ECU ECU Power Supply Power Supply CAN Communications CAN Communications Gate Drive Gate Drive Gate Drive Gate Drive High Voltage Battery High Voltage Battery Control MCU PWM Signal Gen. Protection Circuit Control MCUPWM Signal Gen.Protection Circuit M M IGBT Module IGBT Module (Isolation) (Isolation) Reactor Current Battery Voltage Reactor Temperature IGBT Temp... Reactor CurrentBattery VoltageReactor TemperatureIGBT TemperatureBoard Temperature3-Phase Output Current Gate Drive Supply Voltage Isolation Amplifier Isolation Amplifier M M IGBT Module IGBT Module BMS BMS Drive circuit for brushless DC motor
直流无刷电机驱动电路

直流无刷电机驱动电路示例

子方框图

直流无刷电机驱动电路
直流无刷电机驱动电路

直流无刷电机驱动电路示例

直流无刷电机驱动电路示例
IC output photocoupler
器件型号
Toshiba Package Name 5pin SO6 5pin SO6 5pin SO6 5pin SO6 5pin SO6
BVS (Min) [Vrms] @ t = 60 [s] 3750 3750 3750 3750 3750
VCC / VDD (Min) [V] 4.5     4.5 4.5
VCC / VDD (Max) [V] 20 30   5.5 5.5
ICC / IDD (Max) [mA]          
Output Interface          
General purpose small signal MOSFET
器件型号
Toshiba Package Name S-Mini S-Mini VESM
VDSS (Max) [V] 60 -60 -20
ID (Max) [A] 0.4 -0.4 -0.8
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 4.5 [V] 1.75 1.9 0.39
Polarity N-ch P-ch P-ch
General purpose small signal bipolar transistor
器件型号
Toshiba Package Name SSM SSM USM USM S-Mini S-Mini
VCEO (Max) [V] -50 50 50 -50 50 -50
IC (Max) [A] -0.15 0.15 0.15 -0.15 0.15 -0.15
Polarity PNP NPN NPN PNP NPN PNP
Small signal bias resistor built-in transistor (BRT)
器件型号
Toshiba Package Name ES6 ES6 US6 US6
VCEO (Q1) (Max) [V] 50 -50 50 -50
VCEO (Q2) (Max) [V] 50 -50 50 -50
IC (Q1) (Max) [A] 0.1 -0.1 0.1 -0.1
IC (Q2) (Max) [A] 0.1 -0.1 0.1 -0.1
Polarity (Q1) NPN PNP NPN PNP
Polarity (Q2) NPN PNP NPN PNP
TVS diode (for CAN communication)
器件型号
Toshiba Package Name USM USM USM
VESD (Max) [kV] +/-30 +/-25 +/-20
IR (Max) [µA] 0.1 0.1 0.1
Rdyn (Typ.) [Ω] 0.8 1.1 1.5
CT (Typ.) [pF] @ VR = 0 [V], f = 1 [MHz] 9 9 6.5

解决方案

这些文档对推荐的半导体产品的要点及其特性进行了说明。请参考其进行产品选择。

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开关电源选型工具库(SMPS Lib.)

您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。

电机控制和驱动电路库

您可以根據實際要求選擇和下載馬達驅動IC的各種基本拓撲結構,例如3相逆變器電路,以驗證MOSFET和其他元件在您的模擬環境中的性能。

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MCU Motor Studio具有专用于东芝 TXZ+TM族高级系列微控制器的PC工具和电机控制固件。

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