Such as high efficiency, low power consumption and miniaturization are important in designing cordless cleaner. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power supply units, control unit, motor driving units, etc., along with circuit configuration examples.
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使用MOSFET的主要电机驱动电路示例
使用MOSFET的主要电机驱动电路示例
使用MCU的主要控制电路示例
使用MOSFET的头部电机驱动电路示例
使用双极晶体管的LED驱动电路示例
AC-DC反激电源电路示例
使用MOSFET的主要电机驱动电路示例
器件型号 | |||
---|---|---|---|
Toshiba Package Name | SOP Advance | SOP Advance(N) | SOP Advance |
VDSS (Max) [V] | 60 | 80 | 80 |
ID (Max) [A] | 79 | 86 | 120 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.007 | 0.004 | 0.00243 |
Polarity | N-ch | N-ch | N-ch |
器件型号 | ||||
---|---|---|---|---|
Toshiba Package Name | TSON Advance | TSON Advance | DPAK(2-7N1S) | DPAK(2-7N1S) |
VDSS (Max) [V] | 60 | 80 | 80 | 80 |
ID (Max) [A] | 76 | 32 | 84 | 62 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.007 | 0.0084 | 0.0051 | 0.0069 |
Polarity | N-ch | N-ch | N-ch | N-ch |
使用MOSFET的主要电机驱动电路示例
使用MCU的主要控制电路示例
器件型号 | |||
---|---|---|---|
Toshiba Package Name | SOP Advance | SOP Advance(N) | SOP Advance |
VDSS (Max) [V] | 60 | 80 | 80 |
ID (Max) [A] | 79 | 86 | 120 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.007 | 0.004 | 0.00243 |
Polarity | N-ch | N-ch | N-ch |
器件型号 | ||||
---|---|---|---|---|
Toshiba Package Name | TSON Advance | TSON Advance | DPAK(2-7N1S) | DPAK(2-7N1S) |
VDSS (Max) [V] | 60 | 80 | 80 | 80 |
ID (Max) [A] | 76 | 32 | 84 | 62 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.007 | 0.0084 | 0.0051 | 0.0069 |
Polarity | N-ch | N-ch | N-ch | N-ch |
器件型号 | |
---|---|
Toshiba Package Name | SOP Advance |
VDSS (Max) [V] | -30 |
ID (Max) [A] | -45 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.003 |
Polarity | P-ch |
使用MOSFET的头部电机驱动电路示例
器件型号 | |
---|---|
Toshiba Package Name | SOP Advance |
VDSS (Max) [V] | -30 |
ID (Max) [A] | -45 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.003 |
Polarity | P-ch |
使用双极晶体管的LED驱动电路示例
这些文档对推荐的半导体产品的要点及其特性进行了说明。请参考其进行产品选择。
您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。
您可以根據實際要求選擇和下載馬達驅動IC的各種基本拓撲結構,例如3相逆變器電路,以驗證MOSFET和其他元件在您的模擬環境中的性能。
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