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MOSFET Product lineup

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TO-247-4L封装新器件
600V超级结(super-junction)功率MOSFET(DTMOSIV-H系列)

4针TO-247-4L封装的MOSFET芯片带来更高的开关性能

4针TO-247-4L封装针对栅极驱动源极端子使用开尔文连接,减少内部源极连接电感,使MOSFET芯片实现高开关速度。

采用TO-247-4L封装的功率MOSFET有助于进一步改善高效率中型至大型开关电源的效率(80PLUS *1 TITANIUM和80PLUS PLATINUM所需水平)。

TO-247和TO-247-4L外形尺寸比较

Comparison of the outline dimensions of TO-247 and TO-247-4L

特点

TO-247-4L封装的优势

DTMOS芯片提高开关速度和电流能力后,封装源极导线电感开始对其开关性能产生不利影响。采用TO-247-4L封装后,栅极驱动源极端子将电源线电流与栅极驱动电流相隔离,减少栅源电压电感的影响。

3针TO-247封装
栅源电压(VGS),应用于MOSFET芯片后,产生反电势(VLS = LS*dID/dt),这是源极导线电感(LSource)和漏极电流斜率(dID/dt)的作用。因反电势电压引起电压下降,实际作用于MOSFET芯片后,降低了开关速度,尤其是开通速度。
4针TO-247-4L封装
为了减少对驱动电压的影响,源极端子MOSFET芯片附近位置外合,与负载端源极导线相分离。因此,TO-247-4L封装有助于提高MOSFET芯片的开关性能。

Mechanism of the TO-247-4L Package

由于使用TO-247-4L封装,减少开通损耗

根据模拟分析获得的MOSFET芯片附近的栅源电压波形表明,由于LSource的不同,采用TO-247-4L封装的MOSFET开通时间比采用TO-247封装的MOSFET开通时间要短。实际测量表明,采用TO-247-4L封装的TK62Z60X开通损耗比采用TO-247封装的TK62N60X要低19%。

模拟分析和实际测量均表明,使用TO-247-4L封装有助于减少开通损耗,提高开关速度。

模拟电路模型
开通波形(模拟)

Simulation circuit model, Turn-On Waveform (Simulated)

开通波形(实际检测)

Turn-On Waveform (Measured)

产品阵容

东芝在其600V DTMOSIV-H*2功率MOSFET系列产品中又增加了四个采用TO-247-4L封装的器件(TK25Z60X、TK31Z60X、TK39Z60X和TK62Z60X)。DTMOSIV-H系列使用超级结结构,相比前代系列产品,具有低导通电阻、高开关速度的优势。

(@Ta=25°C)

器件型号 极性 绝对最大额定参数 RDS(ON)max

@VGS=10V(V)

Qgtyp_(nC) Ciss typ_(pF)
VDSS(V) ID(A)
TK25Z60X N-ch 600 25 0.125 40 2400
TK31Z60X 600 30.8 0.088 65 3000
TK39Z60X 600 38.8 0.065 85 4100
TK62Z60X 600 61.8 0.040 135 6500

1 * 80PLUS电器高效能源使用认证项目。通过认证的产品其DC-to-AC转换效率达80%以上。

* 2采用超级结结构的第四代高速开关系列(DTMOIV-H)

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