12V-300V MOSFET

东芝提供广泛的12至300 VDSS MOSFET产品组合，其封装范围包括适用于小信号应用的超小型封装乃至大电流应用封装。东芝的MOSFET提供高速、低漏源导通电阻特性和低尖峰型，具有优化的缓冲电路吸收器常数。东芝的低噪声、低开关损耗MOSFET应用于要求高效率的服务器AC-DC开关电源和基站DC-DC转换器。我们还提供适用于各种轻巧紧凑应用的产品，包括智能手机、可穿戴设备和物联网设备。

产品线

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Polarity
VDSS(V)
-
Package name (Toshiba)
Generation
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
-
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
-
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
-
Results:

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unit:
CST3C

Package Size

W : 0.8 mm 0.031 inch
L : 0.6 mm 0.024 inch
H : 0.38 mm 0.015 inch
SOT-883 (CST3)

Package Size

W : 1.0 mm 0.039 inch
L : 0.6 mm 0.024 inch
H : 0.38 mm 0.015 inch
CST3B

Package Size

W : 1.2 mm 0.047 inch
L : 0.8 mm 0.031 inch
H : 0.48 mm 0.019 inch
SOT-723 (VESM)

Package Size

W : 1.2 mm 0.047 inch
L : 1.2 mm 0.047 inch
H : 0.5 mm 0.020 inch
SOT-416 (SSM)

Package Size

W : 1.6 mm 0.063 inch
L : 1.6 mm 0.063 inch
H : 0.7 mm 0.028 inch
SOT-323F (UFM)

Package Size

W : 2.0 mm 0.079 inch
L : 2.1 mm 0.083 inch
H : 0.7 mm 0.028 inch
SOT-323 (USM)

Package Size

W : 2.0 mm 0.079 inch
L : 2.1 mm 0.083 inch
H : 0.9 mm 0.035 inch
SOT-23F

Package Size

W : 2.9 mm 0.11 inch
L : 2.4 mm 0.094 inch
H : 0.8 mm 0.031 inch
SOT-23 (SOT23)

Package Size

W : 2.9 mm 0.11 inch
L : 2.4 mm 0.094 inch
H : 0.9 mm 0.035 inch
SOT-346 (S-Mini)

Package Size

W : 2.9 mm 0.11 inch
L : 2.5 mm 0.098 inch
H : 1.1 mm 0.043 inch
DPAK+

Package Size

W : 6.5 mm 0.26 inch
L : 9.5 mm 0.37 inch
H : 2.3 mm 0.091 inch
DPAK

Package Size

W : 6.6 mm 0.26 inch
L : 10.0 mm 0.39 inch
H : 2.3 mm 0.091 inch
TO-220SM(W)

Package Size

W : 10.0 mm 0.39 inch
L : 13.0 mm 0.51 inch
H : 3.5 mm 0.14 inch
D2PAK+

Package Size

W : 10.0 mm 0.39 inch
L : 15.0 mm 0.59 inch
H : 3.5 mm 0.14 inch
D2PAK

Package Size

W : 10.35 mm 0.41 inch
L : 15.3 mm 0.60 inch
H : 4.46 mm 0.18 inch
SOT-553 (ESV)

Package Size

W : 1.6 mm 0.063 inch
L : 1.6 mm 0.063 inch
H : 0.55 mm 0.022 inch
SOT-353 (USV)

Package Size

W : 2.0 mm 0.079 inch
L : 2.1 mm 0.083 inch
H : 0.9 mm 0.035 inch
WCSP6C

Package Size

W : 1.5 mm 0.059 inch
L : 1.0 mm 0.039 inch
H : 0.5 mm 0.020 inch
SOT-563 (ES6)

Package Size

W : 1.6 mm 0.063 inch
L : 1.6 mm 0.063 inch
H : 0.55 mm 0.022 inch
SOT-1118 (UDFN6)

Package Size

W : 2.0 mm 0.079 inch
L : 2.0 mm 0.079 inch
H : 0.75 mm 0.030 inch
SOT-1220 (UDFN6B)

Package Size

W : 2.0 mm 0.079 inch
L : 2.0 mm 0.079 inch
H : 0.75 mm 0.030 inch
SOT-363F (UF6)

Package Size

W : 2.0 mm 0.079 inch
L : 2.1 mm 0.083 inch
H : 0.7 mm 0.028 inch
SOT-363 (US6)

Package Size

W : 2.0 mm 0.079 inch
L : 2.1 mm 0.083 inch
H : 0.9 mm 0.035 inch
TSOP6F

Package Size

W : 2.9 mm 0.11 inch
L : 2.8 mm 0.11 inch
H : 0.8 mm 0.031 inch
PS-8

Package Size

W : 2.9 mm 0.11 inch
L : 2.8 mm 0.11 inch
H : 0.8 mm 0.031 inch
TSON Advance

Package Size

W : 3.3 mm 0.13 inch
L : 3.3 mm 0.13 inch
H : 0.85 mm 0.033 inch
TSON Advance(WF)

Package Size

W : 3.1 mm 0.12 inch
L : 3.6 mm 0.14 inch
H : 0.85 mm 0.033 inch
SOP Advance(N)

Package Size

W : 4.9 mm 0.19 inch
L : 6.1 mm 0.24 inch
H : 1.0 mm 0.039 inch
DSOP Advance

Package Size

W : 5.0 mm 0.20 inch
L : 6.0 mm 0.24 inch
H : 0.73 mm 0.029 inch
DSOP Advance(WF)L

Package Size

W : 5.0 mm 0.20 inch
L : 6.0 mm 0.24 inch
H : 0.76 mm 0.030 inch
DSOP Advance(WF)M

Package Size

W : 5.0 mm 0.20 inch
L : 6.0 mm 0.24 inch
H : 0.76 mm 0.030 inch
SOP Advance

Package Size

W : 5.0 mm 0.20 inch
L : 6.0 mm 0.24 inch
H : 0.95 mm 0.037 inch
SOP Advance(WF)

Package Size

W : 5.0 mm 0.20 inch
L : 6.0 mm 0.24 inch
H : 0.95 mm 0.037 inch
SOP-8

Package Size

W : 4.9 mm 0.19 inch
L : 6.0 mm 0.24 inch
H : 1.52 mm 0.06 inch
TO-220SIS

Package Size

W : 10.0 mm 0.39 inch
L : 15.0 mm 0.59 inch
H : 4.5 mm 0.18 inch
TO-220

Package Size

W : 10.16 mm 0.40 inch
L : 15.1 mm 0.59 inch
H : 4.45 mm 0.18 inch
TO-3P(N)

Package Size

W : 15.5 mm 0.61 inch
L : 20.0 mm 0.79 inch
H : 4.5 mm 0.18 inch

All package dimensions are guaranteed in millimeters as mentioned on datasheet. Package dimension in inches is round to 2 significant digits converted with 1mm=0.0393701inch.

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技术文章

MOSFET / 12V－300V MOSFET

U-MOS X-H系列150V MOSFET——高效率开关电源的理想选择
东芝电子元件及存储装置株式会社推出采用U-MOS X-H工艺的150V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列产品，将显著改善通信基站电源和数据中心服务器电源等高效开关电源的导通电阻和电荷特性。

MOSFET / 12V－300V MOSFET

通过搭载了150V MOSFET的多电平逆变器来提高效率
电机控制逆变器对于工业机器人这类应用很有必要，有助于推动工厂自动化。本文介绍一种提高效率的方法， 通过使用150V MOSFET的多电平逆变器替代使用600V MOSFET的2电平逆变器。

MOSFET / 12V－300V MOSFET

有助于减少开关电源的损耗
80V N沟道MOSFET，取得了导通电阻和充电特性之间的平衡

MOSFET／12V-300V MOSFET

U-MOSⅨ-H系列是提高开关电源效率的理想MOSFET。
U-MOSⅨ-H系列利用卓越的高速性能，为各种拓扑结构的开关电源提供低损耗产品。

MOSFET／12V-300V MOSFET

U-MOSIX-H系列大幅改善了代表损耗的品质因数。
U-MOSIX-H系列采用卓越的沟槽工艺和封装技术，提供业内最好的性能。

MOSFET／12V-300V MOSFET

通过缓冲电路降低开关噪声（低尖峰技术）
U-MOSIX-H系列有一系列低尖峰型和高效型，前者具有优化的缓冲电路常数，它们使产品的选择更具目的性。

MOSFET／12V-300V MOSFET

东芝MOSFET是低电压驱动设备的理想选择。
东芝MOSFET采用精细间距工艺，支持1.2V低电压驱动，导通电阻低

MOSFET／12V-300V MOSFET

DSOP Advance，热增强的双面散热封装，提高了大电流应用的电源效率。
DSOP Advance封装通过散热降低大电流流动过程中的温升，通过缩小电源电路来提高功率密度和效率。

MOSFET／12V-300V MOSFET

产品种类繁多，从超小封装到通用封装应有尽有。
东芝的MOSFET采用先进技术实现了小型化、低导通电阻。

MOSFET／12V-300V MOSFET

采用最新工艺的P通道MOSFET系列
卓越的沟槽技术实现了低导通电阻特性和从1.2V到10V的宽驱动电压范围。

文档

名称 日期

技术专辑

应用

变频器／伺服
详细信息
人体传感器
详细信息
LED照明
详细信息
固态硬盘
详细信息
IH电磁炉
详细信息
微波炉
详细信息
IH电饭煲
详细信息
温控器
详细信息
冰箱
详细信息
多功能打印机
详细信息
喷墨打印机
详细信息
无线充电器
详细信息
无绳电动工具
详细信息
扫地机器人
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人体成分分析仪
详细信息
无线耳机
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无绳吸尘器
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运动相机
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电动剃须刀
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服务器
详细信息
监控摄像头
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太阳能逆变器
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智能插头
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平板电脑设备
详细信息
可编程逻辑控制器
详细信息
智能马桶盖
详细信息
智能音响
详细信息
电子血压计
详细信息
智能手表
详细信息
电动牙刷
详细信息

参考设计

PCB图片（示例）
48 V总线兼容1.2 V/100 A双降压DC-DC转换器
为了降低数据输入的功耗，服务器的48 V电源越来越受欢迎。该DC-DC转换器可以将48 V总线电压高效地转换为1.2 V/100 A，供服务器上的多个设备使用。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。
详细信息
PCB照片（示例）
1.6 kW服务器电源（升级版）
得益于东芝最新的功率器件和数字隔离器，这款1U尺寸、12 V输出的1.6 kW服务器电源在整个负载下实现了比使用相同电路拓扑的现有参考设计更高的效率。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。
详细信息
多路复用器电路PCB照片示例
使用共漏极MOSFET的电源多路复用器电路
此参考设计中，在一个小型印刷电路板（PCB）上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。我们现已在已开发的电源多路复用器电路参考设计中增加了使用共漏极MOSFET的应用电路。这些参考电路通过组合东芝多种产品线中的MOSFET栅极驱动IC和齐纳二极管等最佳器件，可以实现BBM和MBB模式的切换。
使用共漏极MOSFET的电源多路复用器电路
详细信息
PCB图片（示例）
采用MOSFET的3相多电平逆变器
该参考设计提供了具有5电平输出的3相多电平逆变器的设计指南、数据和其他内容。其采用150V MOSFET驱动AC 200V电机。
详细信息
PCB Photo (example)
用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器
该参考设计提供了用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器的设计指南、数据和其他内容。
详细信息
1.6kW T型三电平PFC电源
1.6kW T型三电平PFC电源
本参考设计提供使用T型三电平功率因数校正（PFC） 电路的1.6kW AC-DC转换器电源的设计指南、数据等内容。
详细信息
电源多路复用器电路PCB照片示例
电源多路复用器电路
在此参考设计中，在一个小型印刷电路板（PCB）上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。将从东芝的多种产品线选择的MOSFET栅极驱动电路IC、eFuse IC、齐纳二极管和小型封装MOSFET等器件进行组合，实现具有BBM和MBB开关的理想二极管。
电源多路复用器电路 / 2输入和1输出
详细信息
100W LLC DC-DC转换器的电路板照片
100W LLC DC-DC转换器
此参考设计提供了使用LLC谐振实现零电压开关的100W LLC DC-DC转换器的设计指南、数据和其他内容。
DC-DC转换器 / MOSFET / 隔离器
详细信息
200W有源钳位正向DC-DC转换器的外观照片
200W有源钳位正向DC-DC转换器
此参考设计提供了使用N沟道MOSFET作为钳位开关的200W有源钳位正向DC-DC转换器的设计指南、数据和其他内容。
DC-DC转换器
详细信息
非隔离降压DC-DC转换器的外观图片
非隔离降压DC-DC转换器
此参考设计提供了多个非隔离降压DC-DC转换器电源的设计指南、数据和其他内容。多种电源针对各种输出、负载和电路板安装区域进行了优化。
参考设计中心
详细信息
采用TOLL封装DTMOS的500W服务器电源的特点
采用TOLL封装DTMOS的500W服务器电源
此参考设计提供了使用连续电流型PFC和LLC DC-DC转换器的500W服务器电源的设计指南、数据和其他内容。在PFC电路中使用TOLL封装MOSFET，减小了整体尺寸并提高了功率密度。
500W服务器 / TOLL封装 / DTMOS
详细信息
1kW全桥DC-DC转换器的外观照片
1kW全桥DC-DC转换器
该参考设计提供了使用相移全桥DC-DC转换器的1kW服务器电源的设计指南，数据和其他内容。
全校，DC-DC转换器
详细信息
1.6kW 48V输出电信设备电源的外观照片
1.6kW 48V输出电信设备电源
该参考设计提供了采用半无桥PFC和隔离相移全桥DC-DC转换器的1.6kW 48V输出电源的设计指南，数据和其他内容。
电源
详细信息
500W服务器电源的外观照片
500W服务器电源
该参考设计提供了使用连续电流型PFC和LLC DC-DC转换器的500W服务器电源的设计指南，数据和其他内容。
参考设计中心
详细信息
有源钳位正激DC-DC电源基础仿真电路的电路
有源钳位正激DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南，用于设计DC-DC电源的有源钳位正激拓扑。
仿真电路 / 可在OrCAD®上编辑
详细信息
有源钳位正激AC-DC电源基础仿真电路的电路图
有源钳位正激AC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的参考设计、仿真结果和设计指南，用于设计AC-DC电源的有源钳位正激拓扑结构。
仿真电路 / 可在OrCAD®上编辑
详细信息
全桥型DC-DC电源基础仿真电路的电路图
全桥型DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南，用于设计DC-DC电源的全桥拓扑。
仿真电路。可在OrCAD®上编辑
详细信息
全桥AC-DC电源基本仿真电路的电路
全桥AC-DC电源基本仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路，仿真结果和设计指南。这是用于设计AC-DC电源的全桥拓扑。
仿真电路 / 可在OrCAD®上编辑
详细信息
非隔离同步降压DC-DC电源基础仿真电路的电路
非隔离同步降压DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南。用于设计非隔离式同步降压DC-DC电源。
非隔离 / 同步 / 降压 / DC-DC / 电源
详细信息
半桥（HB）DC-DC电源基础仿真电路的电路
半桥（HB）DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南。用于设计DC-DC电源的半桥（HB）拓扑。
半桥 / DC-DC / 电源
详细信息
半桥（HB）AC-DC电源基础仿真电路
半桥（HB）AC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南。用于设计AC-DC电源的半桥（HB）拓扑。
半桥 / AC-DC / 电源
详细信息
光伏输出光耦和MOSFET替代机械式继电器的HVAC应用
光伏输出光耦和MOSFET替代机械式继电器
具有光电输出耦合器TLP3906和MOSFET TPH1R306PL的固态继电器。介绍固态继电器电路替代机械继电器的设计指南。
光伏 / 输出 / 光耦 / MOSFET / 替代 / 机械式继电器
详细信息

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