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AC-DC反激式电源

AD-DC反激式转换器包括很少部件,用于100瓦以下的电源应用,比如笔记本电脑和其它移动设备的适配器。东芝提供非常适用于反激式应用,VDSS为800V的低功耗MOSFET

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フライバック型AC-DC電源の回路例

PFC MOSFET Main Switch PFC Controller ICs Blocking Diode Photocoupler Gate Driver Secondary Rectification

文档

白皮书

Whitepaper
名称 概述 发布日期
介绍了DTMOSV系列的特点和相比于前一系列的改进方面 9/2017
  • DTMOS应用(噪声降低)
介绍了噪声产生的机理和降噪技术 9/2017 稍后发布

应用说明

Application note
名称 概述 发布日期
提供基于仿真结果的提示和技巧,帮助降低半导体分立器件的芯片温度 01/2018
介绍了平面、沟槽和超级结功率MOSFET 11/2016
介绍了功率MOSFET的绝对最大额定值、热阻抗和安全工作区域 11/2016
介绍了规格书中所示的电气特性 11/2016
介绍选择功率MOSFET的方法、温度特性、导线和寄生振荡的影响、雪崩耐用性,缓冲电路等 11/2016
介绍了热等效电路、通道温度计算的例子和散热器附件的考虑。 2/2017
介绍了MOSFET在开关应用中的振荡机理 8/2017
介绍了并联MOSFET中的电流不平衡和寄生振荡机理 8/2017
介绍了MOSFET开关应用的栅极驱动电路设计指南,并提供了栅极驱动电路的举例。 8/2017

视频


  • 电路概述

    当开关关闭后,变压器的初级电感存储能量。当开关打开时,存储能量从变压器转移至输出负载。所以,输出电压与变压器匝数比无关。

    输出电压由晶体管的开/关比例、变压器的初级电感、负载电阻(R)决定。
     

    Vo={√(R/2Lp)[Ton/√(Ton + Toff)]}Vin
    其中,Lp是指初级电感,Ton和Toff是晶体管的“开”和“关”时间,R是负载电阻。



    反激式转换器含有少量的部件。但是由于必须增大内核尺寸以获得高的功率输出,所以反激式转换器只应用于低功率电源应用。

    与正激式转换器相比,反激式转换器可免除输出电感和续流二极管,所以适用于低成本电源。

    由于反激式转换器无输出电感,所以能提供卓越的负载瞬态响应。

    对于高频率开关,可使用小型轻量级变压器。

*点击标题打开它

  • 操作

    当Q1打开时,能量存储在初级绕组中。当Q1关闭时,能量转移至次级绕组中,并提供输出负载。

    1. Q1打开/Q2关闭(Ton

    电压(Vdc)施加于LP

    变压器中的初级电流按其所示电流增益增加

    dip/dt=(VS - VDS1)/Lp
    其中,VDS1是Q1电压,Lp是初级电感

    所以,“打开”状态最后的峰值电流计算方法如下:

    Ip=(VS-VDS1)Ton/Lp

    初级绕组中储存的电磁能计算如下:

    E=Lp × Ip2/2

    2.Q1关闭/Q2打开(Tr

    次级绕组的电压极性反转

    所以,次级绕组中储存的能量被释放出来。此时,次级电流线性减小,如以下方程所示:

    dIs/dt=VOUT/Ls 其中,Ls是次级电感。

    如果Is在Q1再次打开前变为零,储存于初级绕组中的所有能量(E)被转移至输出负载。提供至输出负载的功率计算如下:

    P=E/T=[(VS-VDS1)Ton2/(2T × Lp)≈(VS × Ton2/(2T × Lp

    由于提供至负载的功率为Vo2/RL,VOUT计算如下:

    (VS × Ton2/(2T/Lp)= VOUT2/RL
    VOUT =(VS × Ton)√[RL/(2T × Lp)]

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