SiC肖特基二极管(SBD)实现了Si材料难以实现的高击穿电压,显著降低了Si-FRD(快速恢复二极管)等p-n结二极管无法实现的反向恢复时间(电荷)。
通过采用改进的JBS结构,我们的产品改善了SBD的泄漏电流和浪涌电流(这些都是SBD的不利条件)。
如下表所示,SiC实现了用Si二极管难以实现的电源电路所需的各种特性。
电气特性和符号 (改进方向) |
对电路的影响 | Si材料 | SiC材料 | ||
---|---|---|---|---|---|
FRD* | SBD | SBD | SBD |
||
反向电压,VR (高) |
开关过程中的电压浪涌 | ★★★★ | ★ | ★★★★★ | ★★★★★ |
泄漏电流,IR (低) |
热击穿 | ★★ | ★ | ★★★ | ★★★★★ |
正向电压,VF (低) |
对效率有相当大的影响 | ★★★ | ★★★★★ | ★★★ | ★★★ |
反向恢复时间,trr (低) |
对效率有相当大的影响 | ★ | ★★★★★ | ★★★★★ | ★★★★★ |
浪涌电流,IFSM (大) |
合闸涌流 | ★★★★★ |
★★ | ★ | ★★★ |
★数越多越好。
* FRD:快速恢复二极管
库存查询与购买
请输入3个以上字符