用于车载应用,采用-4.5V驱动电压,即使在电池电压跌落期间也能工作的-40V P沟道功率MOSFET:XPH3R114MC,XPH4R714MC,XPN9R614MC

产品新闻2019年6月

 用于车载应用,采用-4.5V驱动电压,即使在电池电压下降期间也能工作的-40V P沟道功率MOSFET的封装照片:XPH3R114MC,XPH4R714MC,XPN9R614MC。

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了用于车载应用的-40V P沟道功率MOSFET“XPH3R114MC”,“XPH4R714MC”和“XPN9R614MC”。
这些新产品采用最新的P沟道MOSFET U-MOSVI工艺[1],具有低的导通电阻。特别是XPH3R114MC,它具有行业领先[2]的最低导通电阻[3],因其减少了导通损耗,有助于节能。当栅极源极电压为-4.5V时,即使在电池电压跌落的情况下,它们也能进行工作。此外,它们还提供窄的栅极阈值电压范围,为1.1V,这减少了漏极电流变化,有利于并联使用时的控制。
新产品适用于车载设备的负载开关和电机驱动等应用。

注:
[1] 截止于2019年3月
[2] 与具有相同最大额定值的产品相比,根据截止于2019年3月的东芝调查。
[3] XPH3R114MC:RDS(ON)=3.1mΩ(最大值)@VGS=-10V

特点

  • 低导通电阻
      RDS(ON)=3.1mΩ(最大值)@VGS=-10V(XPH3R114MC)
      RDS(ON)=4.7mΩ(最大值)@VGS=-10V(XPH4R714MC)
      RDS(ON)=9.6mΩ(最大值)@VGS=-10V(XPN9R614MC)
  • 低的栅极驱动电压(VGS=-4.5V)
  • 窄的栅极阈值电压范围:Vth=-1.0至-2.1V(窄:1.1V范围)

应用

  • 汽车设备
      负载开关
      电机驱动

产品规格

(除非另有规定,@Ta=25°C)

器件型号 最大绝对额定值 漏极-源极导通电阻
RDS(ON)
最大值
(mΩ)
栅极阈值电压
Vth
(V)
沟道到外壳的热阻抗
Zth(ch-c)
最大值
@Tc=25°C
(°C/W)
封装
漏极-源极电压
VDSS
(V)
漏极电流
(DC)
ID
(A)
@VGS
-4.5V
@VGS
-10V
最小值 最大值
XPH3R114MC -40 -100 4.7 3.1 -1.0 -2.1 0.88 SOP Advance(WF)
XPH4R714MC -60 6.9 4.7 1.13
XPN9R614MC -40 13.4 9.6 1.5 TSON Advance(WF)

内部电路

 用于车载应用,采用-4.5V驱动电压,即使在电池电压跌落期间也能工作的-40V P沟道功率MOSFET的内部电路图示:XPH3R114MC,XPH4R714MC,XPN9R614MC。

应用电路示例

 用于车载应用,采用-4.5V驱动电压,即使在电池电压跌落期间也能工作的-40V P沟道功率MOSFET的应用电路示例说明:XPH3R114MC,XPH4R714MC,XPN9R614MC。



无刷电机驱动电路

本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
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