通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容:TK430A60F,TK370A60F

产品新闻2019年2月

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的封装照片:TK430A60F,TK370A60F。

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了最新的[1]600V N沟道平面MOSFET π-MOSIX系列产品“TK430A60F”和”TK370A60F”,以扩大其产品阵容。
与传统的π-MOSVII系列产品相比,π-MOSIX系列新产品通过优化芯片设计,在保持效率的同时,降低了EMI噪声峰值,提高了设计的灵活性,节省了设计工作。TK750A60F (π-MOSIX)是该系列中现有的产品,与传统产品TK10A60D(π-MOSVII)相比,其EMI噪声峰值降低了5dB[2]。此外,π-MOSIX系列具有相当于漏极电流(DC)额定值的额定雪崩电流,使其成为传统MOSFET的简单替代品。
未来,东芝将继续扩大该系列的产品阵容。

注:
[1] 截止于2019年1月
[2] 200MHz区域中的65W笔记本电脑适配器

特点

  • 采用最新的[1]平面MOSFET工艺(π-MOSIX系列)
  • 保持高效率和低噪声
  • 安全雪崩电流额定值等于漏极电流(DC)额定值。

应用

  • 小到中等开关电源(笔记本电脑的交流适配器、游戏机充电器等)
  • 照明电源

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 封装 最大绝对额定值 漏极-源极导通电阻
RDS(ON)
最大值
@VGS=10V
(Ω)
总栅极电荷
Qg
典型值
(nC)
输入电容
Ciss
典型值
(pF)
传统系列
(π-MOSVII系列)
器件型号
漏极-源极电压
VDSS
(V)
漏极电流
(DC)
ID
(A)
TK430A60F TO-220SIS 600 13 0.43 48 1940 TK13A60D
TK370A60F 15 0.37 55 2200 TK15A60D

内部电路

 通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的内部电路图示:TK430A60F,TK370A60F。

应用电路示例

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的应用电路示例说明:TK430A60F,TK370A60F。

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。

最新[1]系列和传统系列的比较[3](参考数据)

通过降低EMI噪声以允许更大设计灵活性的600V平面MOSFET π-MOSIX系列产品扩大阵容的最新系列和传统系列的比较说明:TK430A60F,TK370A60F。

注:
[3] 东芝测量值(最新系列TK750A60F和传统系列TK10A60D比较)

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