改进高速信号线路静电放电保护性能的TVS二极管:DF2B5M5SL,DF2B6M5SL,DF2S5M5SL,DF2S6M5SL

产品新闻2018年10月

 改进高速信号线路静电放电保护性能的TVS二极管封装照片:DF2B5M5SL,DF2B6M5SL,DF2S5M5SL,DF2S6M5SL。

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了TVS二极管(ESD保护二极管):"DF2B5M5SL," "DF2B6M5SL," "DF2S5M5SL," 和 "DF2S6M5SL",它们提高了保护性能,比如USB3.0和HDMI®[1]的高速信号线路的静电放电(ESD)保护性能。

当ESD进入设备时,会对IC和电路元件施加较高的浪涌电压,将导致它们崩溃或故障。作为防范措施,我们在ESD贯穿路径中添加了TVS二极管,通过吸收浪涌电压来保护IC和电路元件。施加的浪涌电压由TVS二极管在一定电压下夹紧,但在某个范围内TVS二极管不能在浪涌后立即充分响应,且高于钳位电压的第一峰值电压将施加到IC和电路元件上。但高的第一峰值电压可能导致IC和电路元件故障或击穿。

通过优化芯片工艺和内部结构,与现有产品[2]相比,新产品将第一峰值电压降低到50%左右,同时具有低电容,使其可用于高速信号线路。因此,当新产品用于高速信号线路的ESD保护时,保护性能得到了改进。此外,由于新产品使用的是小型SOD-962封装(东芝的封装名称:SL2),它们的电路板占用空间很小,可以用于各种应用。

注:
[1] HDMI是HDMI Licensing, LLC公司在美国和/或其它国家的商标或注册商标。
[2] 现有产品:DF2BxM4SL系列

特点(以DF2B5M5SL为例)

  • 低的第一峰值电压:Vpeak=67V(典型值)
  • 高的静电放电电压[3]:VESD= ±20kV
  • 低动态电阻[4]:RDYN=0.5Ω(典型值)

注:
[3] @IEC61000-4-2(接触放电)
[4] @TLP参数:Z0=50Ω,tp=100ns,tr=300ps,平均窗口t1=30ns至t2=60ns

应用

  • 高速信号线路的ESD保护
    (USB连接和HDMI®[1]智能手机、平板电脑和游戏机的连接器)

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 封装 极性 最大绝对额定值 峰值反向
工作电压
VRWM
最大值
(V)
第一
峰值电压
Vpeak
典型值
@V=±8kV
(V)
动态电阻RDYN[4]
典型值
@IPP1=16A
至IPP2=30A
(Ω)
总电容Ct
典型值
@VR=0V
(pF)
钳位电压VC[5]
最大值
@IPP=2.5A
(V)
名称 尺寸典型值
(mm)
静电放电
电压
VESD[3]
(kV)
DF2B5M5SL SOD-962
(SL2)
0.62×0.32×0.3 双向 ±20 3.3 67 0.5 0.3 15
DF2B6M5SL ±20 5.0 70 0.5 0.3 15
DF2S5M5SL 单向 ±20 3.3 60 0.3 0.6 15
DF2S6M5SL ±20 5.0 65 0.3 0.6 15

注:
[5] @IEC61000-4-5 8/20μs脉冲

等效电路

 改进高速信号线路静电放电保护性能的TVS二极管等效电路图示:DF2B5M5SL,DF2B6M5SL,DF2S5M5SL,DF2S6M5SL。

应用电路示例

 改进高速信号线路静电放电保护性能的TVS二极管应用电路示例说明:DF2B5M5SL,DF2B6M5SL,DF2S5M5SL,DF2S6M5SL。

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。

特性曲线(参考)

 改进高速信号线路静电放电保护性能的TVS二极管特性曲线图示:DF2B5M5SL,DF2B6M5SL,DF2S5M5SL,DF2S6M5SL。

本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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